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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 |
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![]() | TLP351(Z,F) | - | ![]() | 2899 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP351 | - | 1(无限制) | 264-TLP351(采埃孚) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250(D4-LF1,F) | - | ![]() | 7308 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP352(S) | - | ![]() | 2331 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP352 | - | 1(无限制) | 264-TLP352(S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
TLP5754(TP,E | 2.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5754 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 3A、3A | 4A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | TLP352F(TP4,F) | 1.7800 | ![]() | 9906 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | TLP352 | 光耦合器 | CU、UR、VDE | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2A, 2A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | TLP523(TOJS,F) | - | ![]() | 8741 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP523 | - | 1(无限制) | 264-TLP523(TOJSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP700H(女) | 1.7500 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 最后一次购买 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | UL、UL | 1 | 6-SDIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP700HF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 2A, 2A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 250纳秒 | 15V~30V | |
![]() | TLP351F(Z,F) | - | ![]() | 5027 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP351 | - | 1(无限制) | 264-TLP351F(采埃孚) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP350(TP1,F) | - | ![]() | 8024 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | TLP350 | 光耦合器 | 尿道 | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 2A, 2A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.6V | 20毫安 | 3750Vrms | 15kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | - | 15V~30V | ||
![]() | TLP705A(D4-TP,F) | - | ![]() | 3907 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP705 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP705A(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 35纳秒、15纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||
TLP5751(TP4,E | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | TLP700F(女) | - | ![]() | 4775 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP700F(女) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000Vrms | 15kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | - | 15V~30V | ||||
![]() | TLP250(D4-TP5,F) | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(D4-TP5F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP350(TP5,Z,F) | - | ![]() | 2149 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP350 | - | 1(无限制) | 264-TLP350(TP5ZF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP705(D4,F) | - | ![]() | 8396 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP705 | 光耦合器 | CSA、cUR、UR、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP705(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 300毫安,300毫安 | 450毫安 | - | 1.6V | 20毫安 | 5000Vrms | 10kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | - | 10V~20V | |
![]() | TLP250(TOJS,F) | - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(TOJSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP351A(女) | 1.6000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP351 | 光耦合器 | CU、UR、VDE | 1 | 8-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 350纳秒 | 10V~30V | ||
![]() | TLP352(TP1,S) | - | ![]() | 1790 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP352 | - | 1(无限制) | 264-TLP352(TP1S)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
TLP5771H(E | 2.4500 | ![]() | 7397 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5771 | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP5771H(E) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A、1A | 1A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||
![]() | TLP701A(TP,F) | - | ![]() | 6002 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701A(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 350纳秒 | 10V~30V | |||
TLP155(E | - | ![]() | 4077 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 | TLP155 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SO,5铅 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 600毫安 | 35纳秒、15纳秒 | 1.57V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||
![]() | TLP350F(LF4,Z,F) | - | ![]() | 2540 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP350 | - | 1(无限制) | 264-TLP350F(LF4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP700H(D4-TP,F) | - | ![]() | 9663 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 最后一次购买 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 2 | 6-SDIP | 下载 | 1 | 2A, 2A | 2A | 15微秒、8微秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 250纳秒 | 15V~30V | |||||||
TLP5231(TP,E | 5.5600 | ![]() | 2329 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5231 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 2 | 16-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 2.5A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.7V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 300纳秒、300纳秒 | 150纳秒 | 21.5V~30V | ||||
TLP5754(E | 2.7900 | ![]() | 9858 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5754 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 3A、3A | 4A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | TLP358(TP1,F) | - | ![]() | 8637 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | TLP358 | 光耦合器 | UL、UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 5A、5A | 6A | 17纳秒, 17纳秒 | 1.57V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 250纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | TLP352F(D4,F) | 1.7400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP352 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 8-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | TLP701F(女) | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701F(女) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600毫安 | - | - | 5000Vrms | 10kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | ||||
![]() | TLP250(D4-LF2,F) | - | ![]() | 3020 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP351H(女) | 1.6300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP351 | 光耦合器 | CQC、cUR、UR、VDE | 1 | 8-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | 500纳秒 | 10V~30V |
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