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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 |
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![]() | TLP250F(D4,F) | - | ![]() | 6977 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250F | - | 1(无限制) | 264-TLP250F(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250F(D4INV-T4,F | - | ![]() | 4814 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP250F | - | 1(无限制) | 264-TLP250F(D4INV-T4FTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
TLP155(TPL,E | - | ![]() | 2654 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 | TLP155 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SO,5铅 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP155(TPLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | - | 600毫安 | 35纳秒、15纳秒 | 1.57V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | ||
TLP5751(D4,E | 2.4300 | ![]() | 9678 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
TLP5214(TP,E | 8.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5214 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL | 1 | 16-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 3A、3A | 4A | 32纳秒、18纳秒 | 1.7V(最大) | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
TLP5771(D4-TP,E | 0.9489 | ![]() | 2833 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5771 | 光耦合器 | CQC、cUR、UR、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP5771(D4-TPE | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | ||
TLP701(TP,F) | 1.7400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | UL、UL | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 5A991G | 8541.49.8000 | 1,500人 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 10kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | |||
![]() | TLP701F(TP,F) | - | ![]() | 6926 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | 德国莱茵TÜV、乌拉圭 | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701F(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600毫安 | - | - | 5000Vrms | 10kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | ||||
![]() | TLP352F(S) | - | ![]() | 7703 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP352F | - | 1(无限制) | 264-TLP352F(S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250(D4-FA-TP1,F | - | ![]() | 7573 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(D4-FA-TP1FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP701HF(TP,F) | - | ![]() | 5883 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 最后一次购买 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 2 | 6-SDIP | 下载 | 1 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | 500纳秒 | 10V~30V | |||||||
![]() | TLP5752H(D4LF4,E | 1.9700 | ![]() | 2389 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5752 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | TLP250(D4-TP5,NP,F | - | ![]() | 2611 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(D4-TP5NPFTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
TLP5752(E | 2.5300 | ![]() | 1517 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5752 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | TLP350(D4-TP1,Z,F) | - | ![]() | 7497 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP350 | - | 1(无限制) | 264-TLP350(D4-TP1ZF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250(LF2,F) | - | ![]() | 3788 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP701(MBS-TP,F) | - | ![]() | 2243 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701(MBS-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600毫安,600毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 10kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | |||
![]() | TLP351(D4-TP1,Z,F) | - | ![]() | 5509 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP351 | - | 1(无限制) | 264-TLP351(D4-TP1ZF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP352F(D4,S) | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP352 | - | 1(无限制) | 264-TLP352F(D4S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP705(D4-TP,F) | - | ![]() | 3476 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP705 | 光耦合器 | CSA、cUR、UR、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP705(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 300毫安,300毫安 | 450毫安 | - | 1.6V | 20毫安 | 5000Vrms | 10kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | - | 10V~20V | |
![]() | TLP250F(INV,F) | - | ![]() | 5700 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250F | - | 1(无限制) | 264-TLP250F(INVF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP700F(ABB-TP,F) | - | ![]() | 3397 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP700F(ABB-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000Vrms | 15kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | - | 15V~30V | ||||
![]() | TLP705F(D4,F) | - | ![]() | 2592 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP705F | 光耦合器 | 德国莱茵TÜV、乌拉圭 | 1 | 6-SDIP鸥翼 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP705F(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 450毫安 | - | - | 5000Vrms | 10kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | - | 10V~20V | ||
![]() | TLP358H(女) | 3.4500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP358H | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 8-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 5.5A、5.5A | 6A | 17纳秒, 17纳秒 | 1.57V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 250纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | TLP151A(V4-TPL,E | 1.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 | TLP151 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO,5铅 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 25毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 350纳秒 | 10V~30V | ||
![]() | TLP700F(D4,F) | - | ![]() | 4392 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP700F(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000Vrms | 15kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | - | 15V~30V | ||||
![]() | TLP705AF(女) | - | ![]() | 4091 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP705 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP705AF(女) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600毫安,600毫安 | 600毫安 | 35纳秒、15纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||
![]() | TLP5752(LF4,E | 2.5300 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5752 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | TLP5774H(TP,E | 2.5100 | ![]() | 第975章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5774 | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 4A, 4A | 4A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||
![]() | TLP352(LF1,S) | - | ![]() | 6976 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP352 | - | 1(无限制) | 264-TLP352(LF1S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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