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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP5752(TP4,E | 2.5800 | ![]() | 3996 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5752 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | TLP155(PAV-TPL,E(J | - | ![]() | 4414 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP155 | - | 1(无限制) | 264-TLP155(PAV-TPLE(JTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP351F(D4,Z,F) | - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP351 | - | 1(无限制) | 264-TLP351F(D4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP523(TP1,F) | - | ![]() | 5051 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP523 | - | 1(无限制) | 264-TLP523(TP1F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP5751H(D4LF4,E | 1.8500 | ![]() | 6114 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | TLP250F(INV-LF4,F) | - | ![]() | 7078 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250F | - | 1(无限制) | 264-TLP250F(INV-LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP5701(TP4,E | 1.3600 | ![]() | 2161 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5701 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 350纳秒 | 10V~30V | |||
![]() | TLP5752(D4-LF4,E | 2.5900 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5752 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | TLP351(LF5,Z,F) | - | ![]() | 第1189章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP351 | - | 1(无限制) | 264-TLP351(LF5ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250F(D4-LF4,F) | - | ![]() | 8402 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250F | - | 1(无限制) | 264-TLP250F(D4-LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP700AF(D4-TP,F) | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP700AF(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||
TLP5774(D4-TP,E | 1.0055 | ![]() | 4540 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5774 | 光耦合器 | CQC、cUR、UR、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | TLP5774(D4-TPE | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1.2A、1.2A | 4A | 15纳秒、8纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||
![]() | TLP705F(TP,F) | - | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP705F | 光耦合器 | 尿道 | 1 | 6-SDIP鸥翼 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP705F(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,500人 | - | 450毫安 | - | - | 5000Vrms | 10kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | - | 10V~20V | ||
![]() | TLP5701(LF4,E | 1.3800 | ![]() | 9963 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5701 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | - | 1(无限制) | 264-TLP5701(LF4E) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 350纳秒 | 10V~30V | ||
![]() | TLP352F(LF4,S) | - | ![]() | 2661 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP352F | - | 1(无限制) | 264-TLP352F(LF4S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP351(TP5,Z,F) | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP351 | - | 1(无限制) | 264-TLP351(TP5ZF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP350(女) | - | ![]() | 1716 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP350 | 光耦合器 | 尿道 | 1 | 8-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP350F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.6V | 20毫安 | 3750Vrms | 15kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | - | 15V~30V | |
TLP5752H(TP4,E | 1.9500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5752 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||
TLP5774(D4,E | 2.5200 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5774 | 光耦合器 | CQC、cUR、UR、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | TLP5774(D4E) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1.2A、1.2A | 4A | 15纳秒、8纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | ||
TLP5771(D4,E | 2.3800 | ![]() | 5395 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5771 | 光耦合器 | CQC、cUR、UR、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP5771(D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | ||
![]() | TLP701F(D4SONYTP,F | - | ![]() | 3894 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701F(D4索尼TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600毫安 | - | - | 5000Vrms | 10kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | ||||
![]() | TLP350F(Z,F) | - | ![]() | 8950 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP350 | - | 1(无限制) | 264-TLP350F(采埃孚) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250(INV,F) | - | ![]() | 8862 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(INVF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP5752H(D4-TP,E | - | ![]() | 1023 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 2 | 6-SO | 下载 | 1 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||||||
TLP5751H(D4TP4,E | 1.8500 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | TLP350(Z,F) | - | ![]() | 3886 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP350 | - | 1(无限制) | 264-TLP350(采埃孚) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP700AF(D4-TP,S) | - | ![]() | 3045 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP700 | - | 1(无限制) | 264-TLP700AF(D4-TPS)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP700AF(S) | - | ![]() | 4220 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP700 | - | 1(无限制) | 264-TLP700AF(S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250(LF4,F) | - | ![]() | 5250 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
TLP5231(D4-TP,E | 5.5100 | ![]() | 9931 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5231 | 光耦合器 | CQC、cUL、UL、VDE | 2 | 16-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 2.5A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.7V(最大) | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 300纳秒、300纳秒 | 150纳秒 | 21V~30V |
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