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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 | 年级 | 资质 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI823H9BC-AS | 4.7268 | ![]() | 3385 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、Si823Hx | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2A(4周) | 863-SI823H9BC-AS | 96 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3750Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
![]() | SI8274AB4D-IM1 | 6.0100 | ![]() | 第469章 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 托盘 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | EAR99 | 8542.39.0001 | 第490章 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 105纳秒、75纳秒 | 47纳秒 | 4.2V~30V | |||||
![]() | SI823H7AB-IS1 | 5.6498 | ![]() | 5500 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 4A, 4A | 6A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、58纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | ||||||
![]() | SI8275GBD-AS1R | 3.3045 | ![]() | 8137 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8275GBD-AS1RTR | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | |||||||
![]() | SI823H6AB-AS1 | 6.7292 | ![]() | 7683 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H6AB-AS1 | 48 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | ||||||||
![]() | SI82396BB-AS1 | 5.7565 | ![]() | 7855 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82396BB-AS1 | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||
![]() | SI8271GAD-IS | 2.4816 | ![]() | 5091 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8271 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8271GAD-IS | EAR99 | 8542.39.0001 | 96 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 1000Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | |||||
![]() | SI8275GBD-AM1R | 3.5714 | ![]() | 7116 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 863-SI8275GBD-AM1RTR | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | |||||||
![]() | SI82393CD-IS3R | 3.6300 | ![]() | 6011 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82393 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 符合RoHS标准 | 336-SI82393CD-IS3RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3250Vrms | 35kV/μs | 40纳秒, 40纳秒 | 5.6纳秒 | 12.8V~24V | |||||
![]() | SI82396CD-IS3R | 3.6300 | ![]() | 8816 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82396 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 符合RoHS标准 | 336-SI82396CD-IS3RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3250Vrms | 35kV/μs | 40纳秒, 40纳秒 | 5.6纳秒 | 12.8V~24V | |||||
![]() | SI8274AB4D-AS1 | 5.5904 | ![]() | 4201 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8274AB4D-AS1 | 48 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 105纳秒、75纳秒 | 47纳秒 | 4.2V~30V | |||||||
![]() | SI8261BBD-C-IMR | - | ![]() | 6338 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-维加 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-LGA (10x12.5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 500毫安,1.2安 | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | 2.8V(最大) | 30毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 60纳秒、50纳秒 | 28纳秒 | 9.4V~30V | ||||||
![]() | SI8235BA-AS1 | 4.8631 | ![]() | 9939 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8235BA-AS1 | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 1000Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||
SI8220BD-A-ISR | - | ![]() | 3654 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CSA、UR、VDE | 1 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 1.5A、2.5A | 2.5A | 20ns、20ns(顶部) | 2.5V(最大) | 30毫安 | 5000Vrms | 30kV/μs(典型值) | 60纳秒、40纳秒 | - | 9.4V~24V | |||||||
![]() | SI82391CD-AS | 6.5841 | ![]() | 3323 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82391CD-AS | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | - | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||
![]() | SI82394AD4-IS3 | 6.8000 | ![]() | 8374 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82394 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | 336-SI82394AD4-IS3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3250Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||
![]() | SI82396BD-AS | 6.5841 | ![]() | 7303 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82396BD-AS | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||
![]() | SI8274GB1-IMR | - | ![]() | 8245 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-VFLGA | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-LGA (5x5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 150kV/μs | 75纳秒、60纳秒 | 19纳秒 | 4.2V~30V | ||||||
![]() | SI82390AB-AS1R | 3.6900 | ![]() | 4984 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82390AB-AS1RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | - | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||
![]() | SI8238AD-ASR | 4.7100 | ![]() | 9166 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8238AD-ASRTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 500毫安 | 12ns、12ns(顶部) | - | 3750Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||
![]() | SI823H3BB-AS1R | 4.2673 | ![]() | 9010 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H3BB-AS1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 116纳秒, 116纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | ||||||||
![]() | SI8233BD-D-IS3 | 6.9600 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8233 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 336-4259 | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 5000Vrms | 45kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | SI823H5BB-AM1 | 5.3070 | ![]() | 6634 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | 863-SI823H5BB-AM1 | 第490章 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | 汽车 | AEC-Q100 | |||||
![]() | SI82394BD-IS3R | 3.6300 | ![]() | 7785 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82394 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 符合RoHS标准 | 336-SI82394BD-IS3RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3250Vrms | 35kV/μs | 55纳秒、40纳秒 | 5.6纳秒 | 10V~24V | |||||
SI82394BD4-ISR | 3.6300 | ![]() | 第1751章 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82394 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 10V~24V | |||||||
![]() | SI823H4CD-AS3 | 6.1909 | ![]() | 2607 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI823H4CD-AS3 | 46 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 58纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | ||||||||
![]() | SI82520CB-IM1 | 5.5697 | ![]() | 6519 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅8252x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | 863-SI82520CB-IM1 | 60 | 4A, 4A | 4A、6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5.6纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
![]() | SI82521BD-IS3 | 7.2300 | ![]() | 2674 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅8252x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82521 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 4A, 4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5.6纳秒 | 5.5V~30V | ||||||
![]() | SI8274GA1-IM1 | 3.3029 | ![]() | 9702 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 托盘 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 863-SI8274GA1-IM1 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第490章 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 1000Vrms | 200kV/μs | 105纳秒、75纳秒 | 47纳秒 | 4.2V~30V | |||||
![]() | SI823H5BB-IM1R | 4.0650 | ![]() | 4369 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅823Hx | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V |
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