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集成电路 (IC)(5)

参考图片	产品编号	价格（美元）	数量	电子计算机辅助设计	可用数量	重量（公斤）	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）
	IVCR1401DR	2.6600	询价		3	0.00000000	发明芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IVCR1401	非反相	未验证	19V~25V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）		EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	IGBT、碳化硅MOSFET	1.7V、1.6V	4A, 4A	13纳秒, 13纳秒
	IVCR1407SR	1.5700	询价		14	0.00000000	发明芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	IVCR1407	反相、同相	未验证	4.5V～20V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	4A, 4A	6纳秒，6纳秒
	IVCR2401DPR	1.5700	询价		3	0.00000000	发明芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IVCR2401	非反相	未验证	8V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1.7V、1.6V	4A, 4A	13纳秒, 13纳秒
	IVCR2405DR	3.3700	询价		3	0.00000000	发明芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IVCR2405	反相、同相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	4084-IVCR2405DRDKR	EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	4A, 4A	6纳秒，6纳秒
	IVCR1401DPR	2.8100	询价		3	0.00000000	发明芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IVCR1401	非反相	未验证	19V~25V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）		EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	IGBT、碳化硅MOSFET	1.7V、1.6V	4A, 4A	13纳秒, 13纳秒

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SIC

AD9208BBPZ-3000196-LFBGA 裸露焊盘
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