SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
IXRFDSM607X2 IXYS-RF IXRFDSM607X2 -
询价
ECAD 9959 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 16贴片 IXRFDSM607 非反相 未验证 8V~18V - - 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 25 单身的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 15A, 15A 4纳秒、4纳秒
IXRFD615X2 IXYS-RF IXRFD615X2 -
询价
ECAD 9100 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 8-SMD,写入 IXRFD615 非反相 未验证 8V~18V 8贴片 - 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 30 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 15A, 15A 4纳秒、4纳秒
IXRFD630 IXYS-RF IXRFD630 -
询价
ECAD 6073 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 6-SMD,写入裸露焊盘 IXRFD630 非反相 未验证 8V~18V - 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 30 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 4纳秒、4纳秒
IXZ631DF12N100 IXYS-RF IXZ631DF12N100 -
询价
ECAD 6188 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 10-SMD,写入 IXZ631 非反相 未验证 8V~18V 10-SMD - 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 20 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3.5V 72A, 72A 2.4纳秒、1.55纳秒 1000伏
IXZ631DF18N50 IXYS-RF IXZ631DF18N50 -
询价
ECAD 第1327章 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 10-SMD,写入 IXZ631 非反相 未验证 8V~18V 10-SMD - 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 20 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3.5V 95A, 95A 3.4纳秒、1.65纳秒 500V
IXRFD615 IXYS-RF IXRFD615 -
询价
ECAD 6946 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD,写入 IXRFD615 非反相 未验证 8V~18V 6-SMD 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 30 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 15A, 15A 4纳秒、4纳秒
IXRFD631-NRF IXYS-RF IXRFD631-NRF -
询价
ECAD 4040 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 6-SMD,写入裸露焊盘 IXRFD631 非反相 未验证 8V~18V - 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 30 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 4纳秒、4纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库