集成电路 (IC)(54)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
K6X0808C1D-GF70T00	3.7500	询价	2	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-GF70T00TR	EAR99	8542.32.0041	250		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	70纳秒	未验证
K4B1G1646I-BYMA000	4.0000	询价	1	三星半导体公司	*	托盘	的积极								-	符合ROHS3标准		供应商未定义	3277-K4B1G1646I-BYMA000			224
K6T4008C1C-GL55T	4.2000年	询价	3	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	32-SOP	-				3277-K6T4008C1C-GL55TTR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	512K×8	平行线	55纳秒	未验证
K6F4016U4E-EF70T	2.0000	询价	23	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	2.7V~3.3V	48-TFBGA (6x7)	-				3277-K6F4016U4E-EF70TTR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	256K×16	平行线	70纳秒	未验证
K6F4008U2D-FF70	2.0000	询价	1	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	2.7V~3.6V	48-FBGA	-				3277-K6F4008U2D-FF70TR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	512K×8	平行线	70纳秒	未验证
K6X0808C1D-BF55	6.0000	询价	806	三星半导体公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-BF55	EAR99	8542.32.0041	25		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	55纳秒	未验证
K9F8008WOM-TCB	0.7500	询价	27号	三星半导体公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃	表面贴装			附件 - NAND (SLC)	2.7V～5.5V	48-TSOP	-				3277-K9F8008WOM-TCB	EAR99	8542.32.0071	第480章		非活跃性	8兆比特		闪光	1M×8	平行线		未验证
K6R4004C1D-JC10T00	3.5000	询价	239	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V		-				3277-K6R4004C1D-JC10T00TR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	1M×4	平行线	10纳秒	未验证
K6T1008V2E-TF70	2.0000	询价	720	三星半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	3.3V	32-TSOP	-				3277-K6T1008V2E-TF70	EAR99	8542.32.0041	720		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	70纳秒	未验证
K6R1008C1D-TC10	1.6000	询价	10	三星半导体公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	32-TSOP II	-				3277-K6R1008C1D-TC10	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	10纳秒	未验证
K6X0808C1D-GF55T00	3.7500	询价	4	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-GF55T00TR	EAR99	8542.32.0041	250		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	55纳秒	未验证
K6X4008C1F-MF55T00	4.8000	询价	52	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V～5.5V	32-TSOP 反向	-				3277-K6X4008C1F-MF55T00TR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	512K×8	平行线	55纳秒	未验证
K6X0808C1D-GF70000	3.7500	询价	10	三星半导体公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-GF70000	EAR99	8542.32.0041	250		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	70纳秒	未验证
K4A4G085WE-BCRC	4.5000	询价	8	三星半导体公司	*	卷带式 (TR)	的积极								-	符合ROHS3标准		供应商未定义	3277-K4A4G085WE-BCRCTR			250
K6R1008V1C-JC12000	1.5000	询价	800	三星半导体公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	3.3V	32-SOJ	-				3277-K6R1008V1C-JC12000	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	12纳秒	未验证
K6F1616U6A-EF55T	6.5000	询价	650	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	2.7V~3.6V	48-TFBGA (7.5x9.5)	-				3277-K6F1616U6A-EF55TTR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	16兆比特		静态随机存储器	1M×16	平行线	55纳秒	未验证
K6E0808C1E-JC12T	1.1000	询价	26	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC12TTR	EAR99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	12纳秒	未验证
MCM6729DWJ-10R	15.0000	询价	1	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	32-SOJ	-				3277-MCM6729DWJ-10RTR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	256K×4	平行线	10纳秒	未验证
K4S510432D-UC75	12.0000	询价	2	三星半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	K4S510432D	内存	3V～3.6V	54-TSOP II	下载		3（168小时）	供应商未定义	3277-K4S510432D-UC75	EAR99	8542.32.0028	960	133兆赫	易挥发的	512兆比特	65纳秒	动态随机存取存储器	128M×4	左心室TTL	-
KM68V1002CJ-15	2.5000	询价	10	三星半导体公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	3.3V	32-SOJ	-				3277-KM68V1002CJ-15	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	15纳秒	未验证
K6R1016C1D-TI10T00	6.5000	询价	69	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	44-TSOP II	-				3277-K6R1016C1D-TI10T00TR	EAR99	8542.32.0041	50		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	64K×16	平行线	10纳秒	未验证
MT58L64L32FT-10	4.5000	询价	360	三星半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 同步	3.3V	100-TQFP	-				3277-MT58L64L32FT-10	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	2兆比特		静态随机存储器	64K×32	平行线	10纳秒	未验证
K6R1008V1C-JC12T00	1.4000	询价	45	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	3.3V	32-SOJ	-				3277-K6R1008V1C-JC12T00TR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	12纳秒	未验证
K4F8E304HB-MGCJ	6.5000	询价	1	三星半导体公司	-	托盘	的积极								-	符合ROHS3标准			3277-K4F8E304HB-MGCJ			128
K6T4008C1C-GL55T00	4.5000	询价	14	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	32-SOP	-				3277-K6T4008C1C-GL55T00TR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	512K×8	平行线	55纳秒	未验证
K6T1008V2E-TF70T	1.8000	询价	46	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	3.3V	32-TSOP	-				3277-K6T1008V2E-TF70TTR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	70纳秒	未验证
K6F2016U4D-FF70T00	1.6000	询价	3	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	2.7V~3.6V	48-FBGA (6x7)	-				3277-K6F2016U4D-FF70T00TR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	2兆比特		静态随机存储器	128K×16	平行线	70纳秒	未验证
K6F2016U4E-EF70T	1.6000	询价	2	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	2.7V~3.6V	48-TFBGA (6x7)	-				3277-K6F2016U4E-EF70TTR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	2兆比特		静态随机存储器	128K×16	平行线	70纳秒	未验证
K6X0808C1D-BF70	5.0000	询价	17号	三星半导体公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-BF70	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	70纳秒	未验证
K6R1008C1D-TC10T00	1.5000	询价	1	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	32-TSOP II	-				3277-K6R1008C1D-TC10T00TR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	10纳秒	未验证

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

集成电路 (IC)(54)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²