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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 |
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![]() | TC58NYG2S0HBAI4 | - | ![]() | 2616 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | TC58NYG2 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 63-TFBGA (9x11) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | TC58NYG2S0HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 非活跃性 | 4G比特 | 闪光 | 512米×8 | - | 25纳秒 | |||
![]() | TH58NVG4S0HTAK0 | - | ![]() | 1112 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | TH58NVG4 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 48-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 96 | 非活跃性 | 16Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 2G×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||
![]() | THGBMHG9C8LBAW8 | - | ![]() | 4998 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | 表面贴装 | THGBMHG | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 152 | ||||||||||||||
THGBMJG6C1LBAU7 | - | ![]() | 5176 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | e•MMC™ | 托盘 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 153-WFBGA | THGBMJG6 | NAND-NAND | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 非活跃性 | 64Gbit | 闪光 | 8G×8 | 多媒体卡 | - | |||||
THGAMRG7T13保释 | - | ![]() | 2231 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | -25°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-WFBGA | THGAMRG7 | NAND-NAND | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 非活跃性 | 128Gbit | 闪光 | 16G×8 | 多媒体卡 | - | |||||
![]() | TC58NVG1S3HBAI4 | - | ![]() | 7572 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | TC58NVG1 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 63-TFBGA (9x11) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | TC58NVG1S3HBAI4JDH | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 210 | 非活跃性 | 2Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||
![]() | TC58CVG2S0HQAIE | - | ![]() | 3451 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TC58CVG2 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 16-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 168 | 104兆赫 | 非活跃性 | 4G比特 | 280微秒 | 闪光 | 512米×8 | SPI | - | ||
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![]() | TC58NVG2S0HTAI0 | - | ![]() | 8751 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | TC58NVG2 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 48-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 4G比特 | 25纳秒 | 闪光 | 512米×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||
![]() | TH58BVG2S3HBAI6 | 6.3600 | ![]() | 3774 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | 贝南德™ | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 67-VFBGA | TH58BVG2 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 67-VFBGA (6.5x8) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 第338章 | 非活跃性 | 4G比特 | 闪光 | 512米×8 | - | - | ||||
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THGBMTG5D1LBAIL | - | ![]() | 8204 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | - | 3(168小时) | 1853-THGBMTG5D1LBAIL | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | |||||||||||||||||||
![]() | TH58BYG2S3HBAI6 | - | ![]() | 3757 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | 贝南德™ | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 67-VFBGA | TH58BYG2 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 67-VFBGA (6.5x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 第338章 | 非活跃性 | 4G比特 | 25纳秒 | 闪光 | 512米×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||
![]() | TC58BVG0S3HBAI6 | - | ![]() | 4267 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | 贝南德™ | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 67-VFBGA | TC58BVG0 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 67-VFBGA (6.5x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | TC58BVG0S3HBAI6JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 第338章 | 非活跃性 | 1Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||
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![]() | TC58NVG0S3HTA00 | - | ![]() | 7383 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | TC58NVG0 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 48-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 1Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||
![]() | TH58NYG3S0HBAI6 | - | ![]() | 4523 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 67-VFBGA | TH58NYG3 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 67-VFBGA (6.5x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | TH58NYG3S0HBAI6JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 第338章 | 非活跃性 | 8Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 1G×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||
![]() | THGBMFG7C1LBAIL | - | ![]() | 1209 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | 表面贴装 | THGBMF | 153-FBGA (11.5x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 152 | ||||||||||||||
![]() | TH58NYG2S3HBAI4 | 7.2400 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 63-BGA | TH58NYG2 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 63-BGA (9x11) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | TH58NYG2S3HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非活跃性 | 4G比特 | 闪光 | 512米×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||
![]() | TC58CVG2S0HRAIG | - | ![]() | 4897 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | TC58CVG2 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 8-WSON (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 第480章 | 104兆赫 | 非活跃性 | 4G比特 | 280微秒 | 闪光 | 512米×8 | SPI | - | ||
![]() | TH58NYG3S0HBAI4 | 9.5400 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | TH58NYG3 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 63-TFBGA (9x11) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | TH58NYG3S0HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 非活跃性 | 8Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 1G×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||
![]() | THGBMGG9U4LBAIR | - | ![]() | 4262 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | 表面贴装 | THGBMG | 153-VFBGA (11.5x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||
![]() | TC58NVG1S3HTA00 | - | ![]() | 4126 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | TC58NVG1 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 48-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 2Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||
![]() | TH58NYG2S3HBAI6 | 6.3600 | ![]() | 1403 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 63-BGA | TH58NYG2 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 63-BGA (9x11) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非活跃性 | 4G比特 | 闪光 | 512米×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||||
![]() | TC58CYG1S3HRAIG | - | ![]() | 9761 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | TC58CYG1 | 附件 - NAND (SLC) | 1.7V~1.95V | 8-WSON (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 第480章 | 104兆赫 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | SPI | - | |||
![]() | THGJFGT1E45保释 | 89.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | e•MMC™ | 托盘 | 的积极 | -25℃~85℃ | 表面贴装 | 153-WBGA | 或 - NOR (SLC) | 2.4V~3.6V、2.7V~3.6V | 153-BGA (11.5x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 1853-THGJFGT1E45保释 | 152 | 1.16GHz | 非活跃性 | 2T比特 | 闪光 | 256G×8 | UFS 3.1 | - | ||||||
![]() | TC58NVG1S3HBAI6 | 3.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 67-VFBGA | TC58NVG1 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 67-VFBGA (6.5x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 第338章 | 非活跃性 | 2Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||
![]() | THGBMHG6C1LBAW6 | - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | THGBMHG | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||
![]() | TC58CVG1S3HRAIG | - | ![]() | 4511 | 0.00000000 | 侠铠美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | TC58CVG1 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 8-WSON (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 第480章 | 104兆赫 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | SPI | - |
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