SIC
close

集成电路 (IC)(77)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页
EM6HC16EWKG-10IH Etron Technology, Inc. EM6HC16EWKG-10IH 2.5809
询价
 ECAD 1305 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6HC16 SDRAM-DDR3 1.283V～1.45V 96-FBGA (9x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0032 1,500人 933兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 64米×16 平行线 15纳秒
EM6HC16EWXC-12H Etron Technology, Inc. EM6HC16EWXC-12H 3.6828
询价
 ECAD 2 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6HC16 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 96-FBGA (9x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,000 800兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 64米×16 平行线 15纳秒
EM6AA160BKE-4IH Etron Technology, Inc. EM6AA160BKE-4IH 2.7826
询价
 ECAD 4162 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 60-TFBGA EM6AA160 SDRAM-DDR 2.3V~2.7V 60-FBGA (8x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6AA160BKE-4IHTR EAR99 8542.32.0024 2,500人 250兆赫 易挥发的 256兆比特 700皮秒 动态随机存取存储器 16M×16 平行线 15纳秒
EM6OE08NW9A-07IH Etron Technology, Inc. EM6OE08NW9A-07IH 8.2500
询价
 ECAD 2009年 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 78-TFBGA EM6OE08 SDRAM-DDR4 1.14V～1.26V 78-FBGA (7.5x10.6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,500人 1.333GHz 易挥发的 4G比特 18纳秒 动态随机存取存储器 512米×8 荚 15纳秒
EM6GD08EWAHH-10H Etron Technology, Inc. EM6GD08EWAHH-10H 2.9953
询价
 ECAD 6440 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-VFBGA EM6GD08 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 78-FBGA (7.5x10.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GD08EWAHH-10HTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 2Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×8 平行线 15纳秒
EM6GD08EWAHH-10IH Etron Technology, Inc. EM6GD08EWAHH-10IH 3.5028
询价
 ECAD 5807 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 78-VFBGA EM6GD08 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 78-FBGA (7.5x10.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GD08EWAHH-10IHTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 2Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×8 平行线 15纳秒
EM6GE08EW8D-10H Etron Technology, Inc. EM6GE08EW8D-10H 5.2066
询价
 ECAD 4319 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-VFBGA EM6GE08 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 78-FBGA (9x10.5) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GE08EW8D-10HTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 512米×8 平行线 15纳秒
EM6HC16EWKG-10H Etron Technology, Inc. EM6HC16EWKG-10H 2.2538
询价
 ECAD 3693 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-VFBGA EM6HC16 SDRAM-DDR3 1.283V～1.45V 96-FBGA (8x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6HC16EWKG-10HTR EAR99 8542.32.0032 1,500人 933兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 64米×16 平行线 15纳秒
EM6HD08EWAHH-12H Etron Technology, Inc. EM6HD08EWAHH-12H 5.8500
询价
 ECAD 1008 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-VFBGA EM6HD08 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 78-FBGA (7.5x10.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6HD08EWAHH-12HTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 800兆赫 易挥发的 2Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×8 平行线 15纳秒
EM6AA160TSE-4G Etron Technology, Inc. EM6AA160TSE-4G 1.6819
询价
 ECAD 3264 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 66-TSSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） EM6AA160 SDRAM-DDR 2.3V~2.7V 66-TSOP II 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6AA160TSE-4GTR EAR99 8542.32.0024 1,000 250兆赫 易挥发的 256兆比特 700皮秒 动态随机存取存储器 16M×16 平行线 15纳秒
EM6HD16EWBH-10IH Etron Technology, Inc. EM6HD16EWBH-10IH 9.0200
询价
 ECAD 2 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 96-VFBGA EM6HD16 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 96-FBGA (7.5x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 1,500人 933兆赫 易挥发的 2Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 128M×16 平行线 15纳秒
EM6HD08EWUF-10H Etron Technology, Inc. EM6HD08EWUF-10H 2.9953
询价
 ECAD 2800 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-TFBGA EM6HD08 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 78-FBGA (8x10.5) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6HD08EWUF-10HTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 2Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×8 平行线 15纳秒
EM6HE16EWXD-10H Etron Technology, Inc. EM6HE16EWXD-10H 5.2066
询价
 ECAD 3438 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6HE16 SDRAM-DDR3 1.283V～1.45V 96-FBGA (9x13) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6HE16EWXD-10HTR EAR99 8542.32.0036 2,000 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×16 平行线 15纳秒
EM639165BM-5H Etron Technology, Inc. EM639165BM-5H 1.8198
询价
 ECAD 2846 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 54-TFBGA EM639165 内存 3V～3.6V 54-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM639165BM-5HTR EAR99 8542.32.0002 2,500人 200兆赫 易挥发的 128Mbit 4.5纳秒 动态随机存取存储器 8M×16 平行线 10纳秒
EM6HE08EW9G-10H Etron Technology, Inc. EM6HE08EW9G-10H 7.1250
询价
 ECAD 6136 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-TFBGA EM6HE08 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 78-FBGA (7.5x10.6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 512米×8 平行线 15纳秒
EM6HC08EWUG-10H Etron Technology, Inc. EM6HC08EWUG-10H 3.6828
询价
 ECAD 4928 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-VFBGA EM6HC08 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 78-FBGA (8x10.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6HC08EWUG-10HTR EAR99 8542.32.0032 2,500人 933兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 128M×8 平行线 15纳秒
EM68C16CWQG-25IH Etron Technology, Inc. EM68C16CWQG-25IH 4.8100
询价
 ECAD 10 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 84-TFBGA EM68C16 SDRAM-DDR2 1.7V~1.9V 84-FBGA (8x12.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0032 2,500人 400兆赫 易挥发的 1Gbit 400皮秒 动态随机存取存储器 64米×16 平行线 15纳秒
EM6GE16EWXD-10H Etron Technology, Inc. EM6GE16EWXD-10H 5.2066
询价
 ECAD 5609 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6GE16 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 96-FBGA (9x13) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GE16EWXD-10HTR EAR99 8542.32.0036 2,000 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×16 平行线 15纳秒
EM6GE16EWAKG-10H Etron Technology, Inc. EM6GE16EWAKG-10H 5.2066
询价
 ECAD 第1292章 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6GE16 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GE16EWAKG-10HTR EAR99 8542.32.0036 2,000 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×16 平行线 15纳秒
EM6HB16EWKA-12IH Etron Technology, Inc. EM6HB16EWKA-12IH 3.2261
询价
 ECAD 1 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-VFBGA EM6HB16 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 96-FBGA (8x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0028 1,500人 667兆赫 易挥发的 512兆比特 20纳秒 动态随机存取存储器 32米×16 平行线 15纳秒
EM6HD16EWBH-10H Etron Technology, Inc. EM6HD16EWBH-10H 5.9374
询价
 ECAD 9536 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-VFBGA EM6HD16 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 96-FBGA (7.5x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 1,500人 933兆赫 易挥发的 2Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 128M×16 平行线 15纳秒
EM6GE16EWAKG-10IH Etron Technology, Inc. EM6GE16EWAKG-10IH 5.8500
询价
 ECAD 7168 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6GE16 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GE16EWAKG-10IHTR EAR99 8542.32.0036 2,000 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×16 平行线 15纳秒
EM68B08CWAH-25H Etron Technology, Inc. EM68B08CWAH-25H 3.1099
询价
 ECAD 2679 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 60-TFBGA EM68B08 SDRAM-DDR2 1.7V~1.9V 60-FBGA (8x10) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM68B08CWAH-25HTR EAR99 8542.32.0028 2,000 400兆赫 易挥发的 512兆比特 400皮秒 动态随机存取存储器 64M×8 平行线 15纳秒
EM6GE08EW9G-10H Etron Technology, Inc. EM6GE08EW9G-10H 5.2066
询价
 ECAD 2839 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-TFBGA EM6GE08 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 78-FBGA (7.5x10.6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GE08EW9G-10HTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 512米×8 平行线 15纳秒
EM6GA16LCAEA-12H Etron Technology, Inc. EM6GA16LCAEA-12H 2.1700
询价
 ECAD 319 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 托盘 的积极 0℃～85℃（温控） 表面贴装 50-UFBGA、WLCSP EM6GA16 DRAM-RPC 1.425V～1.575V 50-WLCSP (1.96x4.63) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GA16LCAEA-12H EAR99 8542.32.0032 66 800兆赫 易挥发的 256兆比特 6纳秒 动态随机存取存储器 16M×16 平行线 15纳秒
EM6HC16EWXC-12IH Etron Technology, Inc. EM6HC16EWXC-12IH 4.0102
询价
 ECAD 2 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6HC16 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 96-FBGA (9x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,000 800兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 64米×16 平行线 15纳秒
EM6HE16EWAKG-10IH Etron Technology, Inc. EM6HE16EWAKG-10IH 10.5100
询价
 ECAD 7 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6HE16 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×16 平行线 15纳秒
EM6A9160TSC-4G Etron Technology, Inc. EM6A9160TSC-4G 1.7660
询价
 ECAD 5674 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 66-TSSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） EM6A9160 SDRAM-DDR 2.3V~2.7V 66-TSOP II 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6A9160TSC-4GTR EAR99 8542.32.0002 1,000 250兆赫 易挥发的 128Mbit 700皮秒 动态随机存取存储器 8M×16 平行线 12纳秒
EM6GF16EW5A-10ISH Etron Technology, Inc. EM6GF16EW5A-10ISH 20.0250
询价
 ECAD 1348 0.00000000 钰创科技股份有限公司 * 卷带式 (TR) 的积极 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,000
EM68D16CBQC-18IH Etron Technology, Inc. EM68D16CBQC-18IH 9.5500
询价
 ECAD 2 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 84-TFBGA EM68D16 SDRAM-DDR2 1.7V~1.9V 84-FBGA (8x12.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,500人 533兆赫 易挥发的 2Gbit 350马力 动态随机存取存储器 128M×16 SSTL_18 15纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

询价列表 (0 项)
购物车列表 (0 件)
Wishlist愿望清单 (0 件)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

数量：1

比较列表 (0 项)
按 Enter 进行搜索或按 ESC 关闭