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（ICS）（364）

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NDQ86PFI-7NET TR	10.6400	RFQ	5987	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDQ86PFI-7NETTR			1,500	1.333 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	荚	15ns
NDD58PFD-2AET	3.5489	RFQ	5014	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x13）	-				1982-NDD58PFD-2AET			2,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	64m x 8	sstl_2	-
NDQ46PFP-8XET TR	-	RFQ	3809	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-				1982-NDQ46PFP-8XETTR	过时的		2,500	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
NDB26PFC-4DET	6.9997	RFQ	2707	Insignis Technology Corporation	NDB2	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDB26PFC-4DET			209	400 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	SSTL_18	-
NDB16PFC-5EET	3.6017	RFQ	3883	Insignis Technology Corporation	NDB16P	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDB16PFC-5ET			209	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	SSTL_18	-
NDS73PT9-20AT TR	3.9768	RFQ	2979	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS73PT9-20ATTR			1,000
NDL48PFQ-9MIT	9.0000	RFQ	4637	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.6）	-				1982-NDL48PFQ-9MIT			2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
NDL16PFJ-8KIT TR	5.8400	RFQ	2816	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	NDL16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
NDS36PT5-16ET TR	3.6600	RFQ	3	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	NDS36PT5	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit		德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
NDS96PT4-16IT TR	1.8100	RFQ	2567	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	NDS96PT4	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	16mbit		德拉姆	1m x 16	平行线	-
NDD58PT6-2AET	2.7102	RFQ	2079	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-ND58PT6-2AET			1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	64m x 8	sstl_2	-
NDQ48PFQ-7NET	8.2500	RFQ	5871	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（7.5x10.6）	-				1982-NDQ48PFQ-7NET			2,500	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
NDQ46PFI-6NET TR	8.2500	RFQ	2890	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	-				1982-NDQ46PFI-6NETTR			1,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
NDB18PFB-4DET	3.7066	RFQ	4234	Insignis Technology Corporation	NDB1L	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	-				1982-NDB18PFB-4DET			2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	128m x 8	SSTL_18	-
NDD56PT6-2AET TR	2.5508	RFQ	8531	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-ND56PT6-2AETTR			1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	32m x 16	sstl_2	-
NDB56PFC-4DET TR	2.3117	RFQ	2006	Insignis Technology Corporation	NDB5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-				1982-NDB56PFC-4DETTR			2,500	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	SSTL_18	15ns
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NDQ46PFP-8NIT	-	RFQ	2170	Insignis Technology Corporation	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-				1982-NDQ46PFP-8NIT	过时的		2,500	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
NDL46PFP-9MET TR	8.1000	RFQ	7850	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（7.5x13.5）	-				1982-NDL46PFP-9METTR			2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
NDS73PT9-20ET	3.4276	RFQ	7786	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）		Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	-				1982-NDS73PT9-20ET			1,000	200 MHz	易挥发的	128mbit		德拉姆	4m x 32	lvttl	-
NDB56PFC-4DIT	2.4448	RFQ	6083	Insignis Technology Corporation	NDB5	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-				1982-NDB56PFC-4DIT			2,500	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	SSTL_18	15ns
NDL86PFE-8KET	-	RFQ	6125	Insignis Technology Corporation	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-				1982-NDL86PFE-8KET	过时的		2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
NDL48PFQ-8KET	8.1000	RFQ	4912	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.6）	-				1982-NDL48PFQ-8KET			2,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
NDQ86PFI-6NET TR	10.6400	RFQ	3076	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDQ86PFI-6NETTR			1,500	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	荚	15ns
NDL86PFG-8KET	18.6200	RFQ	2116	Insignis Technology Corporation	NDL86P	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDL86PFG-8KET			180	800 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	平行线	-
NDS38PT5-16ET TR	2.4786	RFQ	9748	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS38PT5-16ETTR			1,000
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NDS73PBE-20ET	3.3306	RFQ	5866	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS73PBE-20ET			190

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²