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（ICS）（364）

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NDQ46PFP-7XET	-	RFQ	9887	Insignis Technology Corporation	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-			1982-NDQ46PFP-7XET	过时的		2,500	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	DRAM	256m x 16	荚	15ns
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NDS63PT9-16ET TR	3.0982	RFQ	2482	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDS63PT9-16ETTR			1,000
NDS76PBA-16AT	2.5039	RFQ	5919	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDS76PBA-16AT			348
NDS66PBA-16IT	2.7602	RFQ	4429	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA		Sdram	3v〜3.6V	54-fbga（8x8）	-			1982-NDS66PBA-16IT			2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	DRAM	4m x 16	lvttl	-
NDL56PFJ-8KIT TR	3.0757	RFQ	8072	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x13）	-			1982-NDL56PFJ-8KITTR			2,500	800 MHz	易挥发的	512Mbit	20 ns	DRAM	32m x 16	平行线	15ns
NDQ46PFP-7NET TR	-	RFQ	6568	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-			1982-NDQ46PFP-7NETTR	过时的		2,500	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	DRAM	256m x 16	荚	15ns
NDQ46PFP-7NET	-	RFQ	2479	Insignis Technology Corporation	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	-			1982-NDQ46PFP-7NET	过时的		2,500	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	DRAM	256m x 16	荚	15ns
NSEC53K008-AT	18.8618	RFQ	4589	Insignis Technology Corporation	NSEC	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand （MLC）	3.3V	153-fbga（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NSEC53K008-AT			152	200 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC_5	-
NDQ86PFI-7NET	10.6400	RFQ	3602	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDQ86PFI-7NET			198	1.333 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	DRAM	512m x 16	荚	15ns
NDL28PFH-9MET TR	-	RFQ	8460	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	DRAM	256m x 8	平行线	15ns
NDL16PFJ-8KET	3.6017	RFQ	9268	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDL16PFJ-8KET			209	800 MHz	易挥发的	1Gbit		DRAM	64m x 16	平行线	-
NLQ43PFS-8NIT TR	15.7000	RFQ	1354	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））				2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	DRAM	128m x 32	lvstl	18NS
NLQ83PFS-6NET TR	24.5100	RFQ	6862	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））				2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	DRAM	256m x 32	lvstl	18NS
NDS73PBE-16ET	3.6404	RFQ	4806	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDS73PBE-16ET			190
NLQ83PFS-6NIT	18.1702	RFQ	7007	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NLQ83PFS-6NIT			136	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	DRAM	256m x 32	lvstl	18NS
NLQ83PFS-8NIT	21.6750	RFQ	3894	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	-			1982-NLQ83PFS-8NIT			2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit		DRAM	256m x 32	lvstl	-
NSEC53T064-AT	73.1250	RFQ	6346	Insignis Technology Corporation	NSEC	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-fbga（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NSEC53T064-AT			152	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC_5.1	-
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NLQ26PFS-8NAT	8.8663	RFQ	7230	Insignis Technology Corporation	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NLQ26PFS-8NAT			136	1.2 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	DRAM	128m x 16	lvstl	18NS
NDS76PBA-16IT TR	2.1688	RFQ	4532	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDS76PBA-16Ittr			2,500
NDS36PT5-16IT	2.7110	RFQ	4083	Insignis Technology Corporation	NDS36P	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDS36PT5-16IT			108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	DRAM	16m x 16	lvttl	12ns
NSEC53T016-AT	19.1520	RFQ	3994	Insignis Technology Corporation	NSEC	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-fbga（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NSEC53T016-AT			152	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5.1	-
NDL28PFR-8KIT TR	6.2016	RFQ	7407	Insignis Technology Corporation	NDL28P	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDL28PFR-8KITTR			2,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	DRAM	256m x 8	平行线	15ns
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NLQ43PFS-6NIT TR	15.2500	RFQ	9530	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））				2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	DRAM	128m x 32	lvstl	18NS
NDS73PBE-20IT	3.8295	RFQ	8611	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDS73PBE-20IT			190
NDL18PFH-8KET	3.7066	RFQ	5188	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	-			1982-NDL18PFH-8KET			2,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit		DRAM	128m x 8	平行线	-
NDL88PFO-9MET TR	18.6200	RFQ	6333	Insignis Technology Corporation	NDL88P	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	1982-NDL88PFO-9METTR			2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit		DRAM	1G x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²