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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR -
RFQ
ECAD 7482 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB4-8 IT:G Tr -
RFQ
ECAD 8094 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- lpsdr 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x8) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
MT58L256L36DS-6 Micron Technology Inc. MT58L256L36DS-6 8.5300
RFQ
ECAD 24 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L256L36 sram-同步 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 8mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT -
RFQ
ECAD 3721 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 130-VFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 130-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 128m x 8(NAND),16m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
M58LT128KST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6F TR -
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M58LT128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64-TBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52 MHz 非易失性 128mbit 85 ns 闪光 8m x 16 平行线 85ns
M25P32-VMP6G Micron Technology Inc. M25P32-VMP6G -
RFQ
ECAD 1631年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 M25p3​​ 2 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 75 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 spi 15ms,5ms
MT49H32M18FM-33:B Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-33:b -
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H32M18 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 300 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
N25Q128A13ESEC0G Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0G -
RFQ
ECAD 8290 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-8 IT:G Tr -
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- lpsdr 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
MT40A512M16JY-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-075E IT:b tr -
RFQ
ECAD 1567年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 512m x 16 平行线 -
MT48H16M32L2B5-8 Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-8 -
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.9V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 易挥发的 512Mbit 7.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M 12.3100
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ECAD 3653 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M 1
MT25QU128ABA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-0SIT TR 3.3831
RFQ
ECAD 3647 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QU128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:b -
RFQ
ECAD 8973 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8 XT:g tr -
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ECAD 2152 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -20°C〜75°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- lpsdr 2.3v〜2.7V 54-VFBGA(8x8) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
M29W640GH70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GH70ZF6F TR -
RFQ
ECAD 3350 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR -
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ECAD 3194 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 376-WFBGA MT53D1G64 sdram- lpddr4 1.1V 376-WFBGA(14x14) - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
M28W160CB90N6 Micron Technology Inc. M28W160CB90N6 -
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ECAD 2333 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M28W160 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 16mbit 90 ns 闪光 1m x 16 平行线 90NS
MT46V32M8TG-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-5B:G Tr -
RFQ
ECAD 4544 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V32M8 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
MT51J256M32HF-80:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80:a tr -
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31v〜1.39v,1.46V〜1.55V 170-FBGA(12x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,000 2 GHz 易挥发的 8Gbit 内存 256m x 32 平行线 -
MT45W2MW16BABB-706 L WT Micron Technology Inc. MT45W2MW16BABB-706 L WT -
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ECAD 3169 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA MT45W2MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-VFBGA(6x9) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 32Mbit 70 ns PSRAM 2m x 16 平行线 70NS
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAHC-IT:d -
RFQ
ECAD 9194 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT40A2G4PM-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4PM-083E:a -
RFQ
ECAD 3000 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x13.2) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 2G x 4 平行线 -
MT58L256L36PF-7.5 IT Micron Technology Inc. MT58L256L36PF-7.5 IT 17.3600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-标准 3.135v〜3.6V 165-FBGA(13x15) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 8mbit 4 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR Micron Technology Inc. MT46H1M32LFB5-6:c tr -
RFQ
ECAD 7626 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. EDB4432BBJ-1DAAT-FD -
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ECAD 8621 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 134-WFBGA EDB4432 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-FBGA (10x11.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,100 533 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR 17.3100
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ECAD 1760年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QU01 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT58L128L36P1F-5 Micron Technology Inc. MT58L128L36P1F-5 7.7500
RFQ
ECAD 416 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA MT58L128L36 SRAM 3.135v〜3.6V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 4Mbit 2.8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCDBJ4-6:d -
RFQ
ECAD 6569 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT:e -
RFQ
ECAD 6483 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E384M32D2DS-046AIT:e Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库