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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包装 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT48V4M32LFB5-10:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-10:G。 -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- lpsdr 2.3v〜2.7V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 挥发性 128mbit 7 ns 德拉姆 4m x 32 平行 15ns
M50FLW080AK5G Micron Technology Inc. M50FLW080AK5G -
RFQ
ECAD 6957 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) M50FLW080 闪光灯 -也不 3v〜3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 32 33 MHz 非易失性 8mbit 250 ns 闪光 1m x 8 平行线 -
M29F400BT90N6T TR Micron Technology Inc. M29F400BT90N6T TR -
RFQ
ECAD 5976 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 4Mbit 90 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 90NS
MT52L4DAGN-DC TR Micron Technology Inc. MT52L4DAGN-DC TR -
RFQ
ECAD 4967 0.00000000 微米技术公司 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT52L4 未行业行业经验证 - 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000
MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 -
RFQ
ECAD 4759 0.00000000 微米技术公司 - 批量 积极的 MT29VZZZ7 - 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,520
MT40A256M16GE-062E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E:b -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz 挥发性 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行 -
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SB-046 XT ES:a -
RFQ
ECAD 2737 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时 -30°C〜105°C(TC) MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V - 过时 1,190 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT49H16M18BM-5:B Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-5:b -
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H16M18 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 平行线 -
MT53E2G64D8EG-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 wt:c tr -
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 活跃 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT53E2G64D8EG-046WT:CTR 2,000
MT62F1G32D2DS-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AUT:b tr 36.7350
RFQ
ECAD 8387 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023AUT:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6R:b -
RFQ
ECAD 9836 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行 -
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-AITX:e -
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行 -
MT47H128M8BT-5E:A Micron Technology Inc. MT47H128M8BT-5E:a -
RFQ
ECAD 9559 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 0°C〜85°C(TC) 表面安装 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA(11x19) 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 易挥发的 1Gbit 600 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
M29F040B45K6E Micron Technology Inc. M29F040B45K6E -
RFQ
ECAD 5999 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) M29F040 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 32 非易失性 4Mbit 45 ns 闪光 512k x 8 平行 45ns
MT29F512G08EBLEEJ4-QA:E Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-QA:e 13.2450
RFQ
ECAD 2426 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QA:e 1
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR -
RFQ
ECAD 5027 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 366-WFBGA MT53B768 sdram- lpddr4 1.1V 366-WFBGA(15x15) - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT53E2G64D8EG-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 wt:c -
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT53E2G64D8EG-046WT:c 1,260
JS28F160B3TD70A Micron Technology Inc. JS28F160B3TD70A -
RFQ
ECAD 3807 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F160B3 闪光灯 -引导块 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 16mbit 70 ns 闪光 1m x 16 平行 70NS
MT29F8T08EWLEEM5-QA:E Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLEEM5-QA:e -
RFQ
ECAD 7472 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 - 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA:e 过时的 1
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10IT:a tr -
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT42L128M64D4LC-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4LC-25 IT:a -
RFQ
ECAD 8498 0.00000000 微米技术公司 - 批量 过时的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 240-VFBGA MT42L128M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 240-fbga(14x14) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行 -
MT53D1024M32D4DT-053 AIT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AIT ES:D TR -
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53D1024 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 挥发性 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 wt:e tr -
RFQ
ECAD 6086 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53E1G32 sdram- lpddr4 1.1V - 过时 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 挥发性 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR -
RFQ
ECAD 5061 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 MT29VZZZAD8 - (1 (无限) 过时 0000.00.0000 1,000
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT -
RFQ
ECAD 2585 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 -40°C〜85°C(TA) - - MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 256m x 16(NAND),128m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行 -
MTFC128GAOAMEA-WT ES Micron Technology Inc. MTFC128GAOAMEA-WT -
RFQ
ECAD 1754年 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 在sic中停产 -25°C〜85°C(TA) - - MTFC128 闪存-NAND - - - 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 MMC -
M29W160EB7AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W160EB7AZA6F TR -
RFQ
ECAD 7741 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W160 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 16mbit 70 ns 闪光 2m x 8,1m x 16 平行 70NS
MTFC128GAOANEA-WT ES Micron Technology Inc. mtfc128gaoanea-wt -
RFQ
ECAD 8133 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 盒子 过时的 -25°C〜85°C(TA) MTFC128 闪存-NAND - - (1 (无限) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 MMC -
MT61K512M32KPA-14:C Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14:c 25.3500
RFQ
ECAD 3256 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 活跃 0°C〜95°C(TC) 表面安装 180-TFBGA sgram -gddr6 1.3095V〜1.3905V 180-FBGA(12x14) - 557-MT61K512M32KPA-14:c 1 7 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 POD_135 -
MT62F3G32D8DV-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 wt:b 67.8450
RFQ
ECAD 3004 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 活跃 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026WT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 3G x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库