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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
M29W800DT70N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DT70N6F TR -
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W800 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 8mbit 70 ns 闪光 1M x 8,512k x 16 平行线 70NS
MT47H256M4HQ-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H256M4HQ-3:e tr -
RFQ
ECAD 4767 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-FBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 256m x 4 平行线 15ns
MT29F512G08CFCBBWP-10:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10:b -
RFQ
ECAD 3908 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 960 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT46V64M8BN-6 IT:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 IT:f -
RFQ
ECAD 7427 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-fbga(10x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR -
RFQ
ECAD 5221 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H64M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAM60A3WC1 -
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F4G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT53D384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046自动:e -
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT46V64M8BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6:f tr -
RFQ
ECAD 1776年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-fbga(10x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT46V16M8TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-75:D Tr -
RFQ
ECAD 4763 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 易挥发的 128mbit 750 PS 德拉姆 16m x 8 平行线 15ns
MT41K256M8DA-125 IT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 IT:k -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,440 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 -
MT41K512M8DA-125:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-125:p -
RFQ
ECAD 6238 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,440 800 MHz 易挥发的 4Gbit 13.5 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 -
EMFM432A1PH-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFM432A1PH-DV-FD -
RFQ
ECAD 2187 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 EMFM432 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,680
EDBA164B2PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FR TR -
RFQ
ECAD 3694 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 - EDBA164 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT -
RFQ
ECAD 3121 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-VFBGA MT29C4G48 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA((13x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) 闪光,ram 256m x 16(NAND),128m x 16 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
M29F400BT70N6E Micron Technology Inc. M29F400BT70N6E -
RFQ
ECAD 3724 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 4Mbit 70 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 70NS
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR -
RFQ
ECAD 5274 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 137-TFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),1Gbit lpdram) 闪光,ram 128m x 8 nand),32m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12IT:b -
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
EDF8164A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-GD-FD -
RFQ
ECAD 1522 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 216-WFBGA EDF8164 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v 216-fbga(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,680 800 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
MT25QU01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AAT 21.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QU01 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125自动:k tr 6.5550
RFQ
ECAD 8679 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 -
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCBBH7-6C:b -
RFQ
ECAD 1597年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 166 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBHGBJ4-3Res:g tr -
RFQ
ECAD 3961 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
M29F040B90K6 Micron Technology Inc. M29F040B90K6 -
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ECAD 4571 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) M29F040 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs不合规 不适用 到达不受影响 497-1705-5 Ear99 8542.32.0071 32 非易失性 4Mbit 90 ns 闪光 512k x 8 平行线 90NS
RC28F256M29EWHA Micron Technology Inc. RC28F256M29EWHA -
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ECAD 1768年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA RC28F256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 1,104 非易失性 256Mbit 100 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 100ns
MT41K2G8KJR-125:A TR Micron Technology Inc. MT41K2G8KJR-125:a tr -
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K2G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(9.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 800 MHz 易挥发的 16Gbit 13.5 ns 德拉姆 2G x 8 平行线 -
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M64D4PQ-107 WT:b tr -
RFQ
ECAD 3618 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 253-VFBGA MT52L512 sdram- lpddr3 1.2V 253-VFBGA(11x11.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT41K256M16TW-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AIT:p 8.1700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
PC28F512M29AWLB TR Micron Technology Inc. PC28F512M29AWLB TR -
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA PC28F512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(11x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 512Mbit 100 ns 闪光 32m x 16 平行线 100ns
NAND128W3AABN6E Micron Technology Inc. NAND128W3AABN6E -
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ECAD 5256 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand128 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128mbit 50 ns 闪光 16m x 8 平行线 50ns
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E1T08CMHBBJ4-3:b -
RFQ
ECAD 5512 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29E1T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) - 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库