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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT55L256L36FT-11	14.4200	RFQ	4432	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55L256L	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	8mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT48H4M16LFB4-8 IT TR	-	RFQ	8483	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.9V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	125 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
M29W010B70N6F TR	-	RFQ	5277	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	M29W010	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	32-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	1Mbit	70 ns	闪光	128K x 8	平行线	70NS
NAND512R3A2SN6E	-	RFQ	1676年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand512	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns
MT46H1M32LFBQ-5 AIT：c tr	-	RFQ	5520	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H16M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
MT48LC16M8A2TG-7E：G Tr	-	RFQ	6589	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	14ns
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR	-	RFQ	1927年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
MTFC128GaoAmea-wt es tr	-	RFQ	7523	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-25°C〜85°C（TA）	-	-	MTFC128	闪存-NAND	-	-	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
EDFM432A1PH-GD-FD	-	RFQ	4341	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	-	EDFM432	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	168-FBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	800 MHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	平行线	-
MT47H32M16HR-3：f	-	RFQ	1167	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-1466	Ear99	8542.32.0024	1,000	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
RC28F160C3TD70A	-	RFQ	1049	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	RC28F160	闪光灯 -引导块	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	144		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	1m x 16	平行线	70NS
MTFC128GBCAQTC-AAT	62.4100	RFQ	2118	微米技术公司	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MTFC128GBCAQTC-AAT			1,520
M36W0R5040B5ZAQE	-	RFQ	7417	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	88-TFBGA	M36W0R	闪光	1.7V〜1.95V	88-tfbga（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M36W0R5040B5ZAQE	3A991B1A	8542.32.0071	253		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	-
mtfc32gjgef-ait z tr	-	RFQ	2762	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
M29F040B70K1	-	RFQ	9638	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M29F040	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8	平行线	70NS
MT29F2G16ABBEAH4：e	-	RFQ	5281	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT41K256M8DA-107：k tr	4.0302	RFQ	6361	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MTFC32GJGDQ-AIAT Z tr	-	RFQ	2209	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
M25PX80-VMP6TGT0 TR	-	RFQ	1702	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PX80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-VFQFPN（6x5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	4,000	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
MT47H128M8SH-25E AAT：m tr	-	RFQ	9817	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		MT47H128M8SH-25EAAT：MTR	Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT53B512M64D4NH-062 wt：c tr	-	RFQ	4630	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	272-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	272-WFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT29F32G08AECCBH1-10Z：c	-	RFQ	5972	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	100 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29F2G01ABBGDWB-IT：g tr	2.8500	RFQ	27	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F2G01	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
mtfc128gaoanea-wt tr	-	RFQ	4854	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MTFC128	闪存-NAND	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT：d	-	RFQ	7298	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MTFC4GLVEA-0M WT TR	-	RFQ	6168	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT29F2G01ABBGD12-AUT：G。	3.2005	RFQ	3418	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2G01ABBGD12-AUT：g			1
MT49H8M36BM-25E：b	-	RFQ	4794	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
MT48V4M32LFB5-10：G Tr	-	RFQ	3698	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48V4M32	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	100 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	15ns
MT54W1MH18BF-5	34.7800	RFQ	4	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT54W1MH	sram-四边形端口，同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²