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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT52L256M64D2PD-107 wt：b tr	-	RFQ	1448	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	216-FBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
N25Q128A13B1241F TR	-	RFQ	5344	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，5ms
MT29F4G16ABBEAH4-IT：e	-	RFQ	4269	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT29F64G08CECCBH1-12Z：c tr	-	RFQ	3716	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT29TZZZ5D6YKFAH-107 W.96N TR	-	RFQ	3341	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT29TZZZ5				-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000
MT29F2G01AAAEDH4-ITX：e	-	RFQ	4254	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
MT53D384M32D2DS-053 WT ES：c	-	RFQ	6212	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT46H64M16LFBF-6 IT：b tr	-	RFQ	2966	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H64M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT29F4T08EYHBBG9-3R：b tr	-	RFQ	3823	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F4T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	4Tbit		闪光	512g x 8	平行线	-
MT28EW512ABA1HPC-0AAT	-	RFQ	8685	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	512Mbit	105 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
MT29F64G08CECCBH1-12IT：c	-	RFQ	8284	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
M58LR128KT85ZB5E	-	RFQ	5729	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	M58LR128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-VFBGA（7.7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M58LR128KT85ZB5E	3A991B1A	8542.32.0051	2,016	66 MHz	非易失性	128mbit	85 ns	闪光	8m x 16	平行线	85ns
N25Q128A13EF740E	-	RFQ	2701	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	490	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT28EW01GABA1HPC-0AAT	-	RFQ	6867	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	1Gbit	105 ns	闪光	128m x 8，64m x 16	平行线	60ns
MT28F400B3WG-8 T tr	-	RFQ	8538	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28F400B3	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	48-tsop i	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Mbit	80 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	80ns
MT58L64L18FT-7.5	7.6100	RFQ	9	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	1Mbit	7.5 ns	SRAM	64k x 18	平行线	-
MT29F128G08CECABH1-12IT：a	-	RFQ	1082	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
M29W800FT70N3E	-	RFQ	6588	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W800	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES：D TR	-	RFQ	3887	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT47H64M4BP-37E：b tr	9.5600	RFQ	456	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H64M4	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	267 MHz	易挥发的	256Mbit	500 ps	德拉姆	64m x 4	平行线	15ns
MT46V64M8CY-5B：j	5.8283	RFQ	4247	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	60-fbga（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,368	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT48H16M16LFBF-75 IT：h tr	-	RFQ	7815	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H16M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT55L512L18FT-12	15.6400	RFQ	1	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	83 MHz	易挥发的	8mbit	9 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR	-	RFQ	8326	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），32m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
M29DW323DB70N3E	-	RFQ	4759	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29DW323	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
MT29F1G16ABBDAHC：D Tr	-	RFQ	8439	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	64m x 16	平行线	-
MT48LC16M16A2B4-6A IT：g	6.0918	RFQ	1948年	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,560	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
MT46H32M16LFBF-5 IT：c	5.6600	RFQ	16	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H32M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,782	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
mtfc4gmtea-1f wt	-	RFQ	7114	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT53E256M32D1K-046自动：l	14.5800	RFQ	8566	微米技术公司	-	托盘	积极的		表面安装	200-VFBGA				200-VFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响	557-MT53E256M32D1K-046AUT：l			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²