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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存接口 写周期t-单词,页面,页面
MT61K256M32JE-14:A Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-14:a -
RFQ
ECAD 2113 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 180-TFBGA MT61K256 sgram -gddr6 1.31v〜1.39v 180-FBGA(12x14) 下载 Ear99 8542.32.0071 1,260 1.75 GHz 易挥发的 8Gbit 内存 256m x 32 平行线 -
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37:b tr -
RFQ
ECAD 7061 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1HT08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 1.5Tbit 闪光 192g x 8 平行线 -
MT29F32G08AFACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-Z:c tr -
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ECAD 2684 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT48LC4M16A2P-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E:G Tr -
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ECAD 3342 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC4M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 14ns
MT47H64M16HR-25 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25 IT:h -
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ECAD 6348 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT62F1536M64D8EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 WT ES:B TR 122.7600
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ECAD 1782年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 - 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023WTES:BTR 1,500 4.266 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 1.5GX 64 平行线 -
MT58L256L36FT-10IT Micron Technology Inc. MT58L256L36FT-10IT 17.3600
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ECAD 447 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MT48LC8M8A2P-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75 IT:G -
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ECAD 5794 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC8M8A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 8 平行线 15ns
EMF8132A3PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FD -
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ECAD 9861 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 EMF8132 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,680
EDW4032BABG-80-F-D Micron Technology Inc. EDW4032BABG-80-FD -
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ECAD 9576 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA EDW4032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA(12x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,440 2 GHz 易挥发的 4Gbit 内存 128m x 32 平行线 -
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT -
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ECAD 7994 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 130-VFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 130-vfbga(8x9) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 128m x 8(NAND),16m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
PC28F00AM29EWL0 Micron Technology Inc. PC28F00AM29EWL0 -
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ECAD 8044 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA PC28F00A 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 184 非易失性 1Gbit 100 ns 闪光 128m x 8,64m x 16 平行线 100ns
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR 14.9250
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ECAD 8960 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT28EW01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 非易失性 1Gbit 95 ns 闪光 128m x 8,64m x 16 平行线 60ns
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR -
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ECAD 4285 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 366-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 366-WFBGA(12x12.7) - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
RC28F128P30TF65A Micron Technology Inc. RC28F128P30TF65A -
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ECAD 5863 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA RC28F128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- Easybga(10x13) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 非易失性 128mbit 65 ns 闪光 8m x 16 平行线 65ns
MT29F4G08ABBDAH4:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4:d 4.0428
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ECAD 2512 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR -
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ECAD 7645 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B128 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
M58LT128KST8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6E -
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ECAD 2815 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M58LT128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64-TBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 非易失性 128mbit 85 ns 闪光 8m x 16 平行线 85ns
MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V -
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ECAD 4189 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,520
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:d -
RFQ
ECAD 6648 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
M25PE16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMW6G -
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ECAD 3242 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) M25PE16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SO W - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,800 75 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 15ms,3ms
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCEJ4-ES:c -
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ECAD 6774 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES:c 1
MT29F1G16ABBDAHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC:D Tr -
RFQ
ECAD 8439 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT58L64L18CT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18CT-10 7.0500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2B 8542.32.0041 1
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AAT:h tr -
RFQ
ECAD 8765 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-ITE:e -
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ECAD 1690年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3T:a tr -
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ECAD 7205 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F512G08 Flash -nand(tlc) 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) MT29F512G08EBHAFJ4-3T:Atr 过时的 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F1G08ABAFAWP-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAWP-AATES:f -
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ECAD 6153 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 8542.32.0071 1 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 20NS
MT29F32G08CBECBL73A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBECBL73A3WC1 -
RFQ
ECAD 8599 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F4T08GMLCEJ4:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4:c 78.1500
RFQ
ECAD 4679 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F4T08GMLCEJ4:c 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库