RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT58L512L18PS-10	8.0000	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L512L18	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT47H256M4CF-3 IT：h	-	RFQ	1788年	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H256M4	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	256m x 4	平行线	15ns
MT29F2G08ABAGAWP-AITES：G	3.6385	RFQ	2403	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	960		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29F32G08CBADBWP-12：d tr	-	RFQ	6324	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	83 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT44K32M18RB-093F：b tr	-	RFQ	2499	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K32M18	德拉姆	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000	1.066 GHz	易挥发的	576Mbit	7.5 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
MT29F1T08EEHAFJ4-3R：a	-	RFQ	9800	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT29C4G48MAYAPAKD-5 IT	-	RFQ	7752	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
EDB8164B4PT-1DAT-FD	-	RFQ	2611	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB8164	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	533 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
MT41K256M16TW-107 V：P TR	-	RFQ	1062	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
M29F800DB70M6	-	RFQ	8079	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.525英寸，宽度为13.34mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	16		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MT44K32M36RB-093E：A TR	80.5650	RFQ	3189	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K32M36	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.066 GHz	易挥发的	1.125Gbit	8 ns	德拉姆	32m x 36	平行线	-
MT53B384M64D4TP-062 XT ES：c	-	RFQ	7694	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,120	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
MT46V16M16CY-5B XIT：m	-	RFQ	2615	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V16M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	60-fbga（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,368	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT41K128M16JT-107 AAT：k	7.7700	RFQ	1	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT41K128M16JT-107AAT：k	Ear99	8542.32.0036	1,224	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
MT29F1T08EBLCHD4-QA：c	20.9850	RFQ	4155	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F1T08EBLCHD4-QA：c			1
M29F400BT70M6E	-	RFQ	3782	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	M29F400	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	16		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	70NS
MT29F64G08AEAAAAAC5：a tr	-	RFQ	3048	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-vlga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	52-vlga（18x14）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT53D4DBNY-DC	-	RFQ	9607	微米技术公司	-	大部分	积极的		-	-	MT53D4	sdram- lpddr4		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,360		易挥发的			德拉姆
MT47H32M16U67A3WC1	-	RFQ	7012	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	-	-	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1		易挥发的	512Mbit		德拉姆	32m x 16	平行线	-
MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K	-	RFQ	4100	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C	-	-	MT29TZZZ8	flash -nand，dram -lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,520	800 MHz	非易失性，挥发性	64Gbit（NAND），8Gbit（8Gbit）lpddr3）		闪光，ram	68g x 8 nand），256m x 32 lpddr3）	MMC，LPDRAM	-
MT49H32M18CFM-18：b	-	RFQ	5500	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
mtfc4glwdm-4m aat z tr	-	RFQ	7143	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				mtfc4				-	rohs3符合条件	3（168））		MTFC4GLWDM-4MAATZTR	过时的		1,000
MT53B512M64D4EZ-062 WT：c	-	RFQ	5519	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,120	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT53B512M64D4NW-062 wt：d	-	RFQ	6060	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT48V8M32LFF5-8	-	RFQ	5270	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48V8M32	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	90-vfbga（8x13）	-	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	125 MHz	易挥发的	256Mbit	7 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
MT49H16M18SJ-25 IT：b tr	-	RFQ	7500	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
MT29F256G08AKCBBK7-6：b tr	-	RFQ	5381	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F256G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT48LC4M32LFF5-8 IT：G	-	RFQ	1027	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC4M32	sdram- lpsdr	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	125 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	15ns
MT58L256L18P1T-7.5	5.9300	RFQ	7	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L1MY18	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT29F8T08EULCHD5-QA：c tr	167.8050	RFQ	5398	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08EULCHD5-QA：CTR			2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²