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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29F1T08EEHAFJ4-3R：a	-	RFQ	9800	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT41K256M16TW-107 V：P TR	-	RFQ	1062	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT53D384M32D2DS-046自动：e	-	RFQ	8433	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT：b	92.1450	RFQ	3765	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4	-	556-WFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	1.5MX 64	-	-
MT40A1G8SA-075：e	7.9500	RFQ	1	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,260	1.33 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	1G x 8	平行线	-
MT53B384M64D4TZ-053 wt：c tr	-	RFQ	3126	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
MT29C4G48MAYAPAKD-5 IT	-	RFQ	7752	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
N25Q256A81ESF40F TR	-	RFQ	5622	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q256A81	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-SOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000	108 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	64m x 4	spi	8ms，5ms
MT45W4MW16BFB-706 L WT TR	-	RFQ	9416	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	54-VFBGA	MT45W4MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（6x9）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR	9.2800	RFQ	197	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	130-VFBGA	MT29C1			130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4	-	RFQ	1071	微米技术公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT29F1T08EBLCHD4-QA：c	20.9850	RFQ	4155	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F1T08EBLCHD4-QA：c			1
M50FW040K5TG TR	-	RFQ	8340	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M50FW040	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	750	33 MHz	非易失性	4Mbit	250 ns	闪光	512k x 8	平行线	-
MT52L256M64D2PP-093 wt：b tr	-	RFQ	7632	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	253-VFBGA	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	253-VFBGA（11x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1067 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT58L512L18PS-10	8.0000	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L512L18	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT58L64L36PT-5	5.7500	RFQ	197	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L64L36	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	2Mbit	3.5 ns	SRAM	64k x 36	平行线	-
MT41K128M16JT-107 AAT：k	7.7700	RFQ	1	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT41K128M16JT-107AAT：k	Ear99	8542.32.0036	1,224	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
PC28F256M29EWHD	-	RFQ	8334	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	PC28F256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2266-PC28F256M29EWHD	3A991B1A	8542.32.0071	184		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	100ns
MT29F32G08AECCBH1-10Z：c	-	RFQ	5972	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	100 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29F64G08AEAAAAAC5：a tr	-	RFQ	3048	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-vlga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	52-vlga（18x14）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR	-	RFQ	9918	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	128m x 8 nand），32m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
EDFP112A3PF-JDTJ-FR TR	-	RFQ	7866	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
MT29F2G08ABAGAWP-AITES：G	3.6385	RFQ	2403	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	960		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT44K32M36RB-093E：A TR	80.5650	RFQ	3189	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K32M36	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.066 GHz	易挥发的	1.125Gbit	8 ns	德拉姆	32m x 36	平行线	-
MT29F32G08CBADBWP-12：d tr	-	RFQ	6324	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	83 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
EDB8164B4PT-1DAT-FD	-	RFQ	2611	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB8164	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	533 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
MT47H64M16NF-25E XIT：m	-	RFQ	7640	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR	-	RFQ	5384	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
EMFA232A2PF-DV-FD	-	RFQ	6321	微米技术公司	-	大部分	积极的				EMFA232				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,680
NAND32GW3F2DDI6P	-	RFQ	3547	微米技术公司	-	盒子	过时的				Nand32g				-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	960

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²