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（ICS）（10403）

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MT29F2G08ABAEAH4-ITE：e	-	RFQ	1690年	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT48H16M16LFBF-75：h	-	RFQ	1048	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H16M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Q4707290	Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT47H128M8HQ-3 L：G Tr	-	RFQ	4794	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT48LC16M16A2B4-7E：g tr	-	RFQ	6643	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	14ns
MT29F4G16ABBEAH4-IT：e	-	RFQ	4269	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT49H64M9FM-25E：b tr	-	RFQ	3964	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H64M9	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
MT28F004B5VP-8 T tr	-	RFQ	2844	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	MT28F004B5	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	40-tsop i	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Mbit	80 ns	闪光	512k x 8	平行线	80ns
MT29F4G01ABBFD12-AUT：f	4.2603	RFQ	6955	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4G01ABBFD12-AUT：f			1
MT25QU128ABB8ESF-0AUT	5.9500	RFQ	4	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25QU128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-SOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-Mt25QU128ABB8ESF-0AUT	3A991B1A	8542.32.0051	1,440	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT53B256M32D1NP-062 WT：c	-	RFQ	4184	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT	-	RFQ	3121	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT40A4G4FSE-083E：a tr	-	RFQ	3196	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A4G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（9.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	4G x 4	平行线	-
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mtfc32gltdm-wt	-	RFQ	4998	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
M36W0R605050B4ZAQF TR	-	RFQ	3803	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				M36W0R6050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500
MT29F256G08CBHBBJ4-3R：b	-	RFQ	9609	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q	-	RFQ	4014	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C	表面安装	221-WFBGA	MT29TZZZ8	flash -nand，dram -lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	221-wfbga（13x11.5）	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,520	933 MHz	非易失性，挥发性	64Gbit（NAND），8Gbit（8Gbit）lpddr3）		闪光，ram	68g x 8 nand），256m x 32 lpddr3）	MMC，LPDRAM	-
M50FW040NB5G	-	RFQ	7239	微米技术公司	-	托盘	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	M50FW040	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	32-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	208	33 MHz	非易失性	4Mbit	250 ns	闪光	512k x 8	平行线	-
M28W320HST70ZA6E	-	RFQ	1753年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M28W320	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	136		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	70NS
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MT29F4G08AACHC：c tr	-	RFQ	3384	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
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MT48LC8M16A2P-75 IT：G Tr	-	RFQ	8979	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT53D4DANY-DC TR	-	RFQ	7245	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	MT53D4	sdram- lpddr4		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,000		易挥发的			德拉姆
MT53B384M16D1NK-062 WT ES：b	-	RFQ	3629	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	1.6 GHz	易挥发的	6Gbit		德拉姆	384m x 16	-	-
MT29F64G08AJABAWP-IT：b	-	RFQ	1892年	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT29E384G08EBHBBJ4-3：b	-	RFQ	5304	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29E384G08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	384Gbit		闪光	48g x 8	平行线	-
MT29F128G08CFAAAWP：a tr	-	RFQ	3979	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT40A1G16KD-062E IT：e	-	RFQ	6136	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MT40A1G16KD-062EIT：e	3A991B1A	8542.32.0071	1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
mtfc64gajaedq-aat	-	RFQ	6783	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MTFC64	闪存-NAND	-	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²