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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT62F768M64D4EJ-031 AIT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 AIT: 93.4500
RFQ
ECAD 9757 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT62F768 - 到达不受影响 557-MT62F768M64D4EJ-031AIT:a 1,190
M29F400BB70M6E Micron Technology Inc. M29F400BB70M6E -
RFQ
ECAD 8841 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 16 非易失性 4Mbit 70 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 70NS
MT28GU01GAAA1EGC-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28GU01GAAA1EGC-0SIT TR -
RFQ
ECAD 9442 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA MT28GU01 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64-TBGA(10x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 96 ns 闪光 64m x 16 平行线 -
M29W640GL70ZF3E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZF3E -
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 64-TBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 136 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 -
RFQ
ECAD 3924 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - 1
MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:e tr 22.0500
RFQ
ECAD 8444 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:ETR 8542.32.0071 2,000 267 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AIT:b tr 14.0850
RFQ
ECAD 3984 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E256 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E256M32D2DS-053AIT:BTR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
M29F010B70K6E Micron Technology Inc. M29F010B70K6E -
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) M29F010 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 32 非易失性 1Mbit 70 ns 闪光 128K x 8 平行线 70NS
MT40A512M8SA-075:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-075:f 8.3250
RFQ
ECAD 5562 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 557-MT40A512M8SA-075:f 1 1.333 GHz 易挥发的 4Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 8 15ns
MT40A512M16JY-075E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-075E AIT:b -
RFQ
ECAD 6640 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(8x14) 下载 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,368 1.33 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 512m x 16 平行线 -
MT62F4G32D8DV-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT ES:b 90.4650
RFQ
ECAD 6434 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WTES:b 1 4.266 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
MT29F2G01ABBGD12-AUT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AUT:G。 3.2005
RFQ
ECAD 3418 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT:g 1
RC28F640J3D75B TR Micron Technology Inc. RC28F640J3D75B TR -
RFQ
ECAD 3599 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA RC28F640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64- Easybga(10x13) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 64mbit 75 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 75ns
MT40A512M16TB-062E:R Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E:r 6.2003
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-fbga(7.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A512M16TB-062E:r 3A991B1A 8542.32.0071 1,020 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
MT54W1MH18BF-5 Micron Technology Inc. MT54W1MH18BF-5 34.7800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 微米技术公司 QDR™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA MT54W1MH sram-四边形端口,同步 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 易挥发的 18mbit SRAM 1m x 18 平行线 -
MT58L64L32FT-10IT Micron Technology Inc. MT58L64L32FT-10IT 4.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 500 66 MHz 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
MT29F8G08BAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F8G08BAAWP:A Tr -
RFQ
ECAD 4311 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT62F1G64D4EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 wt:b tr 45.6900
RFQ
ECAD 5908 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023WT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
NAND02GR3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DN6E -
RFQ
ECAD 3618 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand02g 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -NAND02GR3B2DN6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 2Gbit 45 ns 闪光 256m x 8 平行线 45ns
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR -
RFQ
ECAD 7345 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29VZZZBD8 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000
MT41K2G4RKB-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107:p tr 24.1650
RFQ
ECAD 9585 0.00000000 微米技术公司 Twindie™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT41K2G4RKB-107:Ptr Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 2G x 4 平行线 15ns
MT29F512G08CFCBBWP-10:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10:b -
RFQ
ECAD 3908 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 960 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
NAND128W3A2BNXE Micron Technology Inc. NAND128W3A2BNXE -
RFQ
ECAD 6249 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand128 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 128mbit 50 ns 闪光 16m x 8 平行线 50ns
MT40A2G8NRE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E:b tr -
RFQ
ECAD 1252 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(8x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 2G x 8 平行线 -
M29F400FT5AM6T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT5AM6T2 TR -
RFQ
ECAD 1936年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 500 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
MTFC128GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gazaotd-ait tr 40.2300
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR 2,000
MT53B2DANP-DC Micron Technology Inc. MT53B2DANP-DC -
RFQ
ECAD 2950 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - sdram- lpddr4 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,360 易挥发的 德拉姆
PC28F256G18AF TR Micron Technology Inc. PC28F256G18AF TR -
RFQ
ECAD 8944 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 96 ns 闪光 16m x 16 平行线 96ns
M29DW323DB70N6E Micron Technology Inc. M29DW323DB70N6E -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29DW323 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -M29DW323DB70N6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 70NS
MTFC8GACAENS-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gacaens-ait tr -
RFQ
ECAD 5150 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 153-TFBGA mtfc8 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 mtfc8gacaens-aittr 过时的 0000.00.0000 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库