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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | MT49H8M36SJ-TI:b tr | - | ![]() | 6719 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 易挥发的 | 288Mbit | 德拉姆 | 8m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT45W4MW16BCGB-701 IT | - | ![]() | 3622 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 54-vfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | M29W400DT55N6F TR | - | ![]() | 8566 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W400 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 4Mbit | 55 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | N25Q00AA13G1241E | - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | N25Q00AA13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-lpbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 256m x 4 | spi | 8ms,5ms | |||
![]() | MT29F2G16ABBEAHC:e tr | - | ![]() | 9183 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53D512M32D2DS-053 AIT:d | 23.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | MT58L256L36FS-7.5 | 5.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53B256M32D1NP-062 AAT:c | - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 256m x 32 | - | - | |||||
![]() | MT29C4G96Maybackd-5 wt | - | ![]() | 8443 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 137-TFBGA | MT29C4G96 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA(10.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性,挥发性 | 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) | 闪光,ram | 512m x 8 nand),128m x 32 lpdram) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT58L512Y32DT-6 | 18.9400 | ![]() | 122 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L512Y32 | SRAM | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.5 ns | SRAM | 512K x 32 | 平行线 | - | ||
MT29F4G01ABBFD12-ITS:f | - | ![]() | 6045 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT29F4G01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 4G x 1 | spi | - | |||||
![]() | MT44K16M36RB-107E:A TR | - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 德拉姆 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 8 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT62F1G64D8EK-031自动:b tr | 71.3850 | ![]() | 9640 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT:BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 1G x 64 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT53E768M32D2FW-046 AAT:c tr | 32.0250 | ![]() | 3941 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT:CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | EDFB164A1PB-JD-FD | - | ![]() | 6746 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TA) | - | - | EDFB164 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29C2G24MAAAAAAAHAKC-5 E IT | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | MT29C2G24M | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | PC28F128P30B85E | - | ![]() | 3842 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | PC28F128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 非易失性 | 128mbit | 85 ns | 闪光 | 8m x 16 | 平行线 | 85ns | ||
![]() | MT53B256M64D2NL-062 XT ES:c | - | ![]() | 8683 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 960 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT40A512M16TB-062E IT:R | - | ![]() | 5681 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-fbga(7.5x13) | 下载 | 到达不受影响 | 557-MT40A512M16TB-062EIT:r | 1 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | mtfc64gjvdn-3f wt | - | ![]() | 3268 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 169-LFBGA | MTFC64 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 169-LFBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT29F1T08CQCCCBG2-6C:c | - | ![]() | 7846 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 272-LFBGA | MT29F1T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 272-LFBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:c | - | ![]() | 4188 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | MT53B1024 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA(10x14.5) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | - | - | |||||
![]() | MT29C4G48MAYAPAKD-5 IT | - | ![]() | 7752 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 137-TFBGA | MT29C4G48 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA(10.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性,挥发性 | 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) | 闪光,ram | 512m x 8 nand),64m x 32 lpdram) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT46H64M32L2JG-5 IT:Tr | - | ![]() | 2781 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | M25PX80-VMN6TPZ1 TR | - | ![]() | 9841 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M25PX80 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-so | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 75 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | spi | 15ms,5ms | ||||
![]() | MT53E256M32D1K-046 IT:l | 10.6300 | ![]() | 6487 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 200-VFBGA | 200-VFBGA(10x14.5) | - | 到达不受影响 | 557-MT53E256M32D1K-046IT:l | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F | 11.8300 | ![]() | 9604 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 wt:b | 90.4650 | ![]() | 6037 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT58L128L36P1T-10 | 7.1600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L128L36 | SRAM | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT62F512M32D2DS-031 AAT:b tr | 17.4150 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | - | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AAT:BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | - |
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