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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT53E512M32D2NP-053 RS WT：e	-	RFQ	9875	微米技术公司	-	托盘	过时的		表面安装	200-WFBGA	MT53E512			200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的		1,360
mtfc32gazaqhd-wt tr	14.3400	RFQ	1213	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC32GAZAQHD-WTTR			2,000	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	EMMC_5.1	-
MT29F8T08EULCHD5-T：C TR	167.8050	RFQ	6803	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08EULCHD5-T：CTR			2,000
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR	83.2350	RFQ	3193	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	254-BGA		flash -nand，dram -lpddr4x	-	254-MCP	-				557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR			2,000	2.133 GHz	非易失性，挥发性	2Tbit（nand），48Gbit（LPDDR4X）		闪光，ram	256g x 8 nand），1.5g x 32 lpddr4x）	UFS2.1	-
mtfc128gaxauea-wt tr	14.0250	RFQ	5269	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC128GAXAUEA-WTTR			2,000
MT53E1G16D1FW-046 AAT：A TR	15.9600	RFQ	3441	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E1G16D1FW-046AAT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	18NS
MT29F2T08GELCEJ4-QJ：c	39.0600	RFQ	5527	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ：c			1
MT53E2G64D8TN-046 AAT：A TR	122.8500	RFQ	1909年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	556-LFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-LFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E2G64D8TN-046AAT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit	3.5 ns	德拉姆	2G x 64	平行线	18NS
MT29F4T08EUULUEEM4-QA：e tr	105.9600	RFQ	8564	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EUELEM4-QA：ETR			2,000
MT53E1G16D1FW-046 AIT：a	14.5050	RFQ	6586	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E1G16D1FW-046AIT：a			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	18NS
mtfc32gasaons-it tr	20.8050	RFQ	2712	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC32GASAONS-ITTR			2,000	52 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	UFS2.1	-
MT29F2G01ABAGD12-AUT：G	3.2005	RFQ	6152	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2G01ABAGD12-AUT：g			1
MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 TR	17.0762	RFQ	8675	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213TR			2,000
MT53E512M32D2NP-046 wt：f tr	-	RFQ	5868	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MT53E512M32D2NP-046WT：ftr	过时的		2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT53E4D1ABA-DC TR	22.5000	RFQ	4923	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53E4				-			到达不受影响	557-MT53E4D1ABA-DCTR			2,000
MT40A8G4CLU-075H：e	-	RFQ	9601	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A8G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-				557-MT40A8G4CLU-075H：e	过时的	8542.32.0071	210	1.33 GHz	非易失性	32Gbit	27 NS	德拉姆	8g x 4	平行线	-
MT29F2G01ABBGD12-AAT：g	2.7962	RFQ	6625	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F2G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G01ABBGD12-AAT：g		8542.32.0071	1,122	83 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-	未行业行业经验证
MT53D512M64D4RQ-053 wt：e tr	49.0500	RFQ	3306	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	556-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT62F1536M64D8EK-023 FAAT：b	94.8300	RFQ	3945	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	1.5GX 64	平行线	-
mtfc32gakaejp-5m ait	-	RFQ	1324	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	-	153-VFBGA（11.5x13）	-					3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT40A2G4SA-075 C：e	-	RFQ	5780	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT40A2G4SA-075C：e	过时的		1,260	1.33 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 4	平行线	15ns
mtfc16gakaena-4m	-	RFQ	5346	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	100-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
M29W256GH70ZA6F TR	-	RFQ	6856	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
MT58L128V32P1T-10	7.5200	RFQ	3	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L128V32	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT29F4G01AAADDHC：d	-	RFQ	6920	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT41K256M16HA-125 XIT：e tr	-	RFQ	9742	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT53E512M32D2FW-046自动：d	-	RFQ	4416	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	上次购买	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M32D2FW-046AUT：d			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 32	平行线	18NS
M29W640GB70ZS6F TR	-	RFQ	7423	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,800		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT52L256M64D2PD-107 wt：b tr	-	RFQ	1448	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	216-FBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT62F1G64D4ZV-023 wt：b	37.2450	RFQ	7877	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT62F1G64D4ZV-023WT：b			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²