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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR -
RFQ
ECAD 3946 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT29C8G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.9V 168-VFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 非易失性,挥发性 8Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 16 nand),128m x 32 lpdram) 平行线 -
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8 XT:G -
RFQ
ECAD 5305 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 -20°C〜75°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- lpsdr 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
MT53E1G64D4SQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 wt:a -
RFQ
ECAD 8793 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53E1G64 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E1G64D4SQ-046WT:a 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AIT: -
RFQ
ECAD 2591 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B128 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M 10.6800
RFQ
ECAD 2586 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M 1
MT28F320J3RP-11 ET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RP-11 -
RFQ
ECAD 7985 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT28F320J3 闪光 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 110 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 -
MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F32G08CBCCBH1-12Z:c -
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 83 MHz 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT35XU256ABA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU256ABA2G12-0AUT 10.5900
RFQ
ECAD 871 0.00000000 微米技术公司 XCCELA™-MT35X 托盘 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 24-TBGA MT35XU256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 XCCELA巴士 -
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 AUT:b 17.8200
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 上次购买 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E256 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E256M32D2DS-046AUT:b Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
N25Q016A11EF640E Micron Technology Inc. N25Q016A11EF640E -
RFQ
ECAD 1000 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25Q016A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V (8-vdfpn(6x5)(MLP8) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 2,940 108 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 8ms,1ms
MT48H8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-10 IT -
RFQ
ECAD 7336 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 易挥发的 256Mbit 7 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
MT52L512M32D2PF-093 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-093 WT:b -
RFQ
ECAD 9388 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 178-VFBGA MT52L512 sdram- lpddr3 1.2V 178-fbga(11.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,890 1067 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
EDW2032BBBG-6A-F-R TR Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-6A-FR TR -
RFQ
ECAD 4398 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA(12x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 2,000 1.5 GHz 易挥发的 2Gbit 内存 64m x 32 平行线 -
MT58L128L32D1F-6 Micron Technology Inc. MT58L128L32D1F-6 8.2200
RFQ
ECAD 1583年 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA MT58L128L32 SRAM 3.135v〜3.6V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 4Mbit 3.5 ns SRAM 128K x 32 平行线 -
MT46H16M16LFBF-75:A Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-75:a -
RFQ
ECAD 7292 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A AAT:l tr -
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT48LC16M8A2 Sdram 3v〜3.6V 60-FBGA(8x16) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 12ns
MT52L256M64D2QA-125 XT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QA-125 XT:b -
RFQ
ECAD 5805 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - - MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 800 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:a -
RFQ
ECAD 9906 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 52-vlga MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 52-vlga(18x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
NAND512R3A2SZA6F Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZA6F -
RFQ
ECAD 8813 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-TFBGA Nand512 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 512Mbit 50 ns 闪光 64m x 8 平行线 50ns
MT46V64M16TG-75:A Micron Technology Inc. MT46V64M16TG-75:a -
RFQ
ECAD 3560 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V64M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 易挥发的 1Gbit 750 PS 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT40A512M8SA-062E AIT:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E AIT:f 14.0850
RFQ
ECAD 5201 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT40A512M8SA-062EAIT:f Ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
MT29F512G08CKCABH7-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-10:a -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 557-MT29F512G08CKCABH7-10:a 过时的 980
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A AIT:l tr -
RFQ
ECAD 2465 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC8M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 3683 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53D1024 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
M25P40-VMN6P Micron Technology Inc. M25P40-VMN6P -
RFQ
ECAD 5572 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 15ms,5ms
MT29F64G08CFACAWP-Z:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACAWP-Z:c -
RFQ
ECAD 7885 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT48LC4M16A2P-7E IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E IT:J tr -
RFQ
ECAD 8151 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC4M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 14ns
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAH4-IT:e -
RFQ
ECAD 4537 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR -
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-TFBGA MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 256m x 16(NAND),128m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K -
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 MT29VZZZAD9 - rohs3符合条件 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K 过时的 152
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库