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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CUCDBJ6-6:D Tr -
RFQ
ECAD 4966 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 - MT29E512G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-LBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F2G16AABWP-ET TR Micron Technology Inc. MT29F2G16AABWP-ET TR -
RFQ
ECAD 4665 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F2G16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 128m x 16 平行线 -
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R -
RFQ
ECAD 8826 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F256G08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 333 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F32G08CBADBWPR:D Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWPR:d -
RFQ
ECAD 1300 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MTFC16GJVEC-2M WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-2M WT TR -
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ECAD 1827年 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 169-VFBGA mtfc16g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 169-VFBGA - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
M45PE10S-VMN6P Micron Technology Inc. M45PE10S-VMN6P -
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ECAD 5119 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M45PE10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 3ms
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Micron Technology Inc. MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H -
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ECAD 1712 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 121-WFBGA MT29RZ1CV flash -nand,dram -lpddr2 1.8V 121-VFBGA (8x7.5) - (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 533 MHz 非易失性,挥发性 1Gbit(NAND),512Mbit(LPDDR2) 闪光,ram 128m x 8 nand),32m x 16(lpddr2) 平行线 -
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H256M32R4JV-5 WT:b tr -
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ECAD 8160 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 8Gbit 5 ns 德拉姆 256m x 32 平行线 15ns
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 FAAT:a -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 134-VFBGA MT42L32M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-vfbga(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 -
MT49H16M18FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25:b -
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ECAD 2659 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H16M18 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 平行线 -
MT48LC16M16A2P-7E AIT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E AIT:g -
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ECAD 4567 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,080 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 14ns
MT62F1536M32D4DS-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AIT:b tr 43.5300
RFQ
ECAD 2620 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 - 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026AIT:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 平行线 -
PF48F2000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. PF48F2000P0ZBQ0A -
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ECAD 1175 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 88-TFBGA,CSPBGA 48F2000P0 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 88-SCSP (8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 非易失性 64mbit 85 ns 闪光 4m x 16 平行线 85ns
MT46H32M32LFCG-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-6 IT:a tr -
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 152-VFBGA MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 152-VFBGA(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
MT46V64M16P-6T IT:A TR Micron Technology Inc. MT46V64M16P-6T IT:a tr -
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ECAD 9993 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V64M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 167 MHz 易挥发的 1Gbit 700 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT53E2G64D8EG-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 wt:a。 -
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ECAD 2963 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 557-MT53E2G64D8EG-046WT:a 过时的 1,260
MT48LC16M8A2P-6A IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-6A IT:l tr -
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ECAD 7379 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M8A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 12ns
MT40A512M8HX-083E:A Micron Technology Inc. MT40A512M8HX-083E:a -
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ECAD 2718 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(9x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 512m x 8 平行线 -
MT40A4G4HPR-075H:G TR Micron Technology Inc. MT40A4G4HPR-075H:g tr -
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ECAD 4181 0.00000000 微米技术公司 Twindie™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) - - MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v - - rohs3符合条件 3(168)) MT40A4G4HPR-075H:GTR 过时的 0000.00.0000 2,000 1.33 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 4G x 4 平行线 -
MT47H64M8CF-25E:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E:G Tr -
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ECAD 3189 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8S​​ Q-053 wt:e -
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ECAD 1404 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 556-VFBGA MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V 556-VFBGA (12.4x12.4) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 XT:G。 -
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ECAD 5109 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 -20°C〜75°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- lpsdr 2.3v〜2.7V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR -
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ECAD 5143 0.00000000 微米技术公司 XCCELA™-MT35X 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MT35XU01 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 XCCELA巴士 -
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR -
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ECAD 2514 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
MT53E384M64D4NK-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M64D4NK-053 wt:e tr -
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V - 557-MT53E384M64D4NK-053WT:ETR 过时的 1,000 1.866 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 - -
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 wt:d -
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ECAD 5251 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 376-WFBGA MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V 376-WFBGA(14x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8S​​ Q-053 WT ES:E TR -
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ECAD 5379 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 556-VFBGA MT53D1G64 sdram- lpddr4 1.1V 556-VFBGA (12.4x12.4) - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT46H8M32LFB5-6:H Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-6:h -
RFQ
ECAD 9186 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 12ns
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUHBBM4-3RES:b tr -
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ECAD 6669 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F3T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 3Tbit 闪光 384g x 8 平行线 -
MT53E256M32D2FW-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 wt:b 11.6400
RFQ
ECAD 7947 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) 下载 557-MT53E256M32D2FW-046WT:b 1 2.133 GHz 易挥发的 8Gbit 3.5 ns 德拉姆 256m x 32 平行线 18NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库