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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | MT46V8M16P-6TIT:DTR | - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V8M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 700 ps | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT42L32M32D2AC-25 AIT:a | - | ![]() | 6056 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | MT42L32M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-vfbga(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc8gamalna-aat es tr | - | ![]() | 2993 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | - | 100-TBGA(14x18) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | EDW2032BBG-7A-FR TR | - | ![]() | 9499 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 170-TFBGA | EDW2032 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.65V | 170-FBGA(12x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.75 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 内存 | 64m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT58L256V36PT-7.5 | 8.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 4 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53D512M32D2DS-053 wt:d | - | ![]() | 3424 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | MT48LC2M32B2P-6A AAT:j | - | ![]() | 6375 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 167 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | 12ns | ||
MT29F32G08ABAAWP:a | - | ![]() | 7924 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | EDF8164A3MD-GD-FR TR | - | ![]() | 3037 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | EDF8164 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 128m x 64 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT58L32L32DT-7.5 | 4.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L32L32 | sram-同步 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 1Mbit | 4.2 ns | SRAM | 32K x 32 | 平行线 | - | ||
MT29F1G08ABADAWP-E:D Tr | - | ![]() | 1963年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | M29F800DB70N1 | - | ![]() | 3772 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29F800 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:b tr | - | ![]() | 2775 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29E1HT08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1.5Tbit | 闪光 | 192g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | mtfc32gapalht-ait | - | ![]() | 8682 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | mtfc32g | 闪存-NAND | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC32GAPALHT-AIT | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | MT28HL32GQBA6EBL-0GCT | - | ![]() | 3332 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 270 | ||||||||||||||||||
![]() | MT47H64M4BP-37E:b | - | ![]() | 2593 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H64M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 500 ps | 德拉姆 | 64m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT53D512M64D8HR-053 wt:b | - | ![]() | 5920 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 366-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA(12x12.7) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||
![]() | MT47H128M4CB-37E:b tr | - | ![]() | 3196 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H128M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 500 ps | 德拉姆 | 128m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | mtfc16gakaecn-2m wt | - | ![]() | 1792年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | MTFC16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.9V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT29F8G08ABBCAH4:C TR | - | ![]() | 8449 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F8G08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||||
MT48H8M16LFB4-8 Tr | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT48H8M16 | sdram- lpsdr | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 7 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M | - | ![]() | 2222 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F256G08 | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 死 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT46V64M16TG-75:A Tr | - | ![]() | 3502 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V64M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 750 PS | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT66R7072A10ACUXZW.ZCA TR | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM -LPDDR2,MCP -LPDDR2 | 1.14v〜1.95v | 121-vfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit(PCM),512Mbit (MCP) | 内存 | 128m x 8(PCM),64m x 8(MCP) | 平行线 | - | ||||
![]() | EMBA164B2PR-DV-FD | - | ![]() | 5879 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,680 | |||||||||||||||||
MT40A2G8FSE-093E:a | - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-FBGA(9.5x13) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 2G x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D Tr | - | ![]() | 9932 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6 TR | 50.9250 | ![]() | 2207 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MT29TZZZ5 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT29TZZZ5D6DKFRL-093W.9A6TR | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | MT29F32G08QAAWP:A TR | - | ![]() | 1580 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | PC28F128M29EWHG | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | PC28F128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 非易失性 | 128mbit | 60 ns | 闪光 | 16m x 8,8m x 16 | 平行线 | 60ns |
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