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![]() | MT28EW256ABA1HPC-1SIT | - | ![]() | 2858 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | MT28EW256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-lbga(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 非易失性 | 256Mbit | 75 ns | 闪光 | 32m x 8,16m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | M29W800DB70N6F TR | - | ![]() | 7500 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W800 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT53B384M32D2NP-062 XT:b tr | - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53B384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | MTFC16GJDEC-4M IT | - | ![]() | 4997 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 169-WFBGA | mtfc16g | 闪存-NAND | 1.65V〜3.6V | 169-WFBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | ||||
![]() | ECF620AAACN-C2-Y3 | - | ![]() | 3615 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | ECF620 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53B1G32D4NQ-062 wt:d tr | - | ![]() | 1012 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | MT53B1G32 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | - | - | ||||||||
MT46H1M32LFB5-6 AIT:C Tr | 6.9800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT29VZZZAD8GUFSL-046 W.219 | 24.7950 | ![]() | 9687 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29VZZZAD8GUFSL-046W.219 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | mtfc4gacaalt-4m it | - | ![]() | 1590年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | mtfc4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MTFC4GACAALT-4MIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 580 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | MMC | - | |||
![]() | MT29F8G16ABACAH4:c | - | ![]() | 7737 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F8G16 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 512m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53D8DAHR-DC | - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 366-WFBGA | MT53D8 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA(12x12.7) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,360 | 易挥发的 | 德拉姆 | - | - | ||||||||
![]() | M29W320DT90N6 | - | ![]() | 2151 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W320 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 32Mbit | 90 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 90NS | |||
![]() | MT28F800B5WP-8 T tr | - | ![]() | 4145 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28F800B5 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8mbit | 80 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 80ns | |||
![]() | MT53D384M64D4NY-046 XT ES:d | - | ![]() | 1569年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53D384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 384m x 64 | - | - | |||
MT46V32M16CV-5B IT:j | - | ![]() | 9093 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-fbga(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | M25PE20-V6D11 | - | ![]() | 6682 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | - | - | M25PE20 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 75 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | spi | 15ms,3ms | ||||
MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | 微米技术公司 | XCCELA™-MT35X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 24-TBGA | MT35XU01 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | XCCELA巴士 | - | ||||
![]() | MT29F1G08ABCHC-ET:c tr | - | ![]() | 2766 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53B256M32D1NP-062 AUT:C TR | - | ![]() | 9407 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT53B256M32D1NP-062AUT:CTR | 过时的 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 256m x 32 | - | - | ||||
MT40A1G8AG-062E AIT:r tr | - | ![]() | 7899 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 557-MT40A1G8AG-062EAIT:RTR | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F2T08CVCBBG6-6R:b tr | - | ![]() | 6372 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 272-LFBGA | MT29F2T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 272-LFBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F4G01ADAGDWB-IT:G | - | ![]() | 1115 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn | MT29F4G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-updfn(8x6)(MLP8) | - | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 4G x 1 | spi | - | ||||||
![]() | MT47H16M16BG-5E:b | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-fbga(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 600 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | NAND512R3A2SE06 | - | ![]() | 5118 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | - | - | Nand512 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 512Mbit | 50 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 50ns | ||||
![]() | MT29F2T08EMHBFJ4-R:b tr | - | ![]() | 7413 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F2T08 | Flash -nand(tlc) | 1.7V〜1.95V | 132-vbga(12x18) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-R:BTR | 过时的 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | 平行线 | - | ||||
MT29F32G08CBACAWP-ITZ:c tr | - | ![]() | 2000 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | |||||
MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G | 5.4935 | ![]() | 2195 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F2G16 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT53B256M64D2TG-062 XT:c | - | ![]() | 9197 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 960 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR | 9.4500 | ![]() | 9993 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F8G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | - |
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