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（ICS）（10403）

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JR28F064M29EWHA	-	RFQ	2007	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JR28F064M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT29F256G08CECABH6-6：a tr	-	RFQ	1857年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
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MT51K256M32HF-50 n：a	-	RFQ	1041	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	-	-	MT51K256	sgram -gddr5	1.3V〜1.545V	-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,260	1.25 GHz	易挥发的	8Gbit		内存	256m x 32	平行线	-
MT53D256M64D4NY-046 XT：b	-	RFQ	3850	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53D256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT48H8M16LFB4-6：k	-	RFQ	2301	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES：a tr	38.9700	RFQ	5954	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES：ATR		8542.32.0071	2,000	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT47H64M8SH-25E AAT：h tr	-	RFQ	3819	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1	-	RFQ	6241	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	死	MT29F2G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-					过时的		1		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
MT46H32M32LFJG-6 IT：a	-	RFQ	2453	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
NAND256W3A2BN6F TR	-	RFQ	2930	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand256	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	256Mbit	50 ns	闪光	32m x 8	平行线	50ns
MT40A1G4HX-093E：a	-	RFQ	9682	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	1G x 4	平行线	-
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR	-	RFQ	7859	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	128m x 8 nand），32m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
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MT29F4G08ABADAH4-AT：d	-	RFQ	1042	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT46H32M32LFB5-5 AIT：b	-	RFQ	3301	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
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MT29F1T08EEHBFJ4-T：b tr	-	RFQ	3359	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	Flash -nand（tlc）	1.7V〜1.95V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响	557-MT29F1T08EEHBFJ4-T：BTR	过时的	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
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M25PE20-VMN6TP TR	-	RFQ	4926	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25PE20	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	15ms，3ms
MT4A2G8NRE-83E：b tr	-	RFQ	8709	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT4A2				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	2,000
MT29VZZZAD8GUFSL-046 W.219	24.7950	RFQ	9687	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29VZZZAD8GUFSL-046W.219			1
ECF620AAACN-C2-Y3	-	RFQ	3615	微米技术公司	-	大部分	积极的				ECF620				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR	-	RFQ	2150	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	162-VFBGA	MT29AZ5A3	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.9V	162-VFBGA（10.5x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	533 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit（LPDDR2）		闪光，ram	512m x 8 nand），128m x 16 lpddr2）	平行线	-
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1	-	RFQ	9687	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
mtfc4gacaalt-4m it	-	RFQ	1590年	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-TBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MTFC4GACAALT-4MIT	3A991B1A	8542.32.0071	580		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²