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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
EDW2032BBG-7A-FD	-	RFQ	5877	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	EDW2032	sgram -gddr5	1.31V〜1.65V	170-FBGA（12x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,440	1.75 GHz	易挥发的	2Gbit		内存	64m x 32	平行线	-
M29F200BB70N6	-	RFQ	4810	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F200	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	2Mbit	70 ns	闪光	256K x 8，128k x 16	平行线	70NS
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C	-	RFQ	2014	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT29VZZZAD8				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,520
MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U	-	RFQ	7522	微米技术公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT40A512M16LY-062E AIT：e tr	9.2250	RFQ	3525	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A512M16LY-062EAIT：ETR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
MT40A1G8WE-075E AIT：b	-	RFQ	4774	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（8x12）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,140	1.33 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	1G x 8	平行线	-
M25P80-VMN3TP/4 TR	-	RFQ	7289	微米技术公司	-	（CT）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
MT47H32M16CC-3E：b	-	RFQ	7952	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（12x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT29E768G08EEHBBJ4-3：b tr	-	RFQ	6002	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29E768G08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	768Gbit		闪光	96g x 8	平行线	-
MT58L128L18PT-7.5	5.7900	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	2Mbit	4 ns	SRAM	128K x 18	平行线	-
MT29F2G08ABBEAHC：e tr	-	RFQ	9816	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT25TL512HBA8ESF-0SIT TR	-	RFQ	4526	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25TL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR	-	RFQ	2954	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT46V32M16TG-5B：f tr	-	RFQ	6309	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
mtfc128gazaqjp-ait	57.4500	RFQ	6241	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				1,520	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
MT41K256M16HA-125 AIT：e tr	-	RFQ	6673	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT53B512M32D2NP-062 WT ES：d	-	RFQ	2553	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT62F1536M64D8CH-031 wt：a tr	-	RFQ	3231	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F1536M64D8CH-031WT：ATR	过时的		2,000	3.2 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	1.5GX 64	平行线	-
MT29F32G08AFACAWP-ITZ：c	-	RFQ	4108	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR	-	RFQ	3961	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-WFBGA	MT29GZ5A5	flash -nand，dram -lpddr4	1.8V	149-WFBGA（8x9.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	1866 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），4Gbit（LPDDR4）		闪光，ram	512m x 8 nand），128m x 32 lpddr4）	平行线	-
MT40A1G4RH-083E：b	11.0200	RFQ	202	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	1G x 4	平行线	-
MT48H16M32LFCM-6 L IT：B TR	-	RFQ	2514	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
N25Q00AA11G1240E	-	RFQ	3488	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-LBGA	N25Q00AA11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-lpbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,122	108 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	256m x 4	spi	8ms，5ms
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR	16.2100	RFQ	723	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES：D TR	-	RFQ	5833	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
N25Q256A13EF8A0F TR	-	RFQ	9869	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q256A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	64m x 4	spi	8ms，5ms
MT48LC8M32LFB5-10 IT	-	RFQ	3073	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC8M32	sdram- lpsdr	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	100 MHz	易挥发的	256Mbit	7 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
MT29E512G08CMCBBH7-6：b tr	-	RFQ	3875	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29E512G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT29F4G08ABADAH4-IT：D TR	5.4900	RFQ	6	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29F4T08EMLCHD4-QC：c tr	83.9100	RFQ	3296	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-QC：CTR			2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²