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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT29F4G08ABAEAH4-S：e	-	RFQ	7765	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
M25PE80-VMP6G	-	RFQ	8340	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PE80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-VFQFPN（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，3ms
MT29F1T08CPCABH8-6：a	-	RFQ	6870	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT29F4T08CTHBM5-3R：b	-	RFQ	3227	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F4T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	-	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	4Tbit		闪光	512g x 8	平行线	-
M29W160ET70ZA6E	-	RFQ	1772年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W160	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	187		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	70NS
MT29F64G08CBCGBJ4-5M：g	-	RFQ	5802	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	200 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT53D512M64D4RQ-053 wt：e	49.0500	RFQ	8896	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	556-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT29F64G08AMCBBH2-12：b tr	-	RFQ	2084	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
M36W0R6050T4ZAQF TR	-	RFQ	2280	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				M36W0R6050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500
MT58L64L18DT-7.5Tr	7.0500	RFQ	1	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	1Mbit	4.2 ns	SRAM	64k x 18	平行线	-
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES：b tr	-	RFQ	7722	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F384G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	非易失性	384Gbit		闪光	48g x 8	平行线	-
EDFA164A2PK-GD-FD	-	RFQ	3403	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	-	EDFA164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,680	800 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-
MT29F8G16ABACAWP-IT：c	-	RFQ	6494	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
MT48V8M32LFF5-8 IT TR	-	RFQ	8310	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48V8M32	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	90-vfbga（8x13）	-	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	125 MHz	易挥发的	256Mbit	7 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
MT29F128G08CECABH1-10Z：A Tr	-	RFQ	6156	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT41J256M8DA-125：k	-	RFQ	3654	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J256M8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT48LC8M8A2P-75 L：G。	-	RFQ	7952	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 8	平行线	15ns
MT29F512G08CUCABH3-10R：a tr	-	RFQ	5312	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT41K512M8RH-125 M：e	-	RFQ	4122	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
JS28F128J3F75H	-	RFQ	4461	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F128J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	128mbit	75 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	75ns
MT41K512M16VRN-107 AAT：p	21.0750	RFQ	7397	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT41K512M16VRN-107AAT：p	Ear99	8542.32.0036	1,368	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF：b tr	8.1600	RFQ	9544	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响	557-MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF：BTR			2,000	333 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-	未行业行业经验证
MT29F1G08ABAEAH4-AITX：e	-	RFQ	4884	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT48H32M16LFCJ-75：A Tr	-	RFQ	2499	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H32M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES：d	-	RFQ	3367	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D1536	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	1.5GX 32	-	-
N25Q128A13ESE40G	-	RFQ	3515	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Q6985588	3A991B1A	8542.32.0071	1,800	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
PC28F512M29EWL0	-	RFQ	1389	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	PC28F512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	184		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	100ns
MT29F64G08CBCABH1-12Z：a	-	RFQ	7881	微米技术公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
M25P40-VMN3PB	-	RFQ	9599	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P40	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	75 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
MT40A1G8WE-075E AIT：b	-	RFQ	4774	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（8x12）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,140	1.33 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	1G x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²