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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAHC-IT:e tr -
RFQ
ECAD 6751 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
M25PX16-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PX16-VMW6TG TR -
RFQ
ECAD 8787 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) M25PX16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SO W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 75 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 15ms,5ms
PC28F256P30B85D TR Micron Technology Inc. PC28F256P30B85D TR -
RFQ
ECAD 2513 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA PC28F256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- Easybga(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 非易失性 256Mbit 85 ns 闪光 16m x 16 平行线 85ns
MT53D8DBWF-DC Micron Technology Inc. MT53D8DBWF-DC -
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 表面安装 376-WFBGA MT53D8 sdram- lpddr4 376-WFBGA(14x14) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 易挥发的 德拉姆
MT41J512M4HX-125:D Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-125:d -
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ECAD 4823 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41J512M4 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-fbga(9x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 512m x 4 平行线 -
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AIT:a tr 57.3900
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT:ATR 2,000
MTFC8GLUEA-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gluea-at -
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ECAD 9268 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QD:e tr 52.9800
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ECAD 7835 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD:ETR 2,000
MTFC32GAZAQHD-WT Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-wt 18.0200
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ECAD 1781年 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 153-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC32GAZAQHD-WT 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 200 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT29F1T08EBLCHD4-M:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-M:c 20.9850
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ECAD 1058 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F1T08EBLCHD4-M:c 1
MTFC8GLUDM-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gludm-ait -
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ECAD 6493 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29F128G08CBCEBRT-37BES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37BES:e tr -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E56-0SIT TR 7.0650
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) - - MT25QU512 闪光灯 -也不 1.7V〜2V - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT35XL256ABA2GSF-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2GSF-0AAT -
RFQ
ECAD 1659年 0.00000000 微米技术公司 XCCELA™-MT35X 大部分 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 24-TBGA MT35XL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,440 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 XCCELA巴士 -
MT29F256G08CJAABWP-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12:a -
RFQ
ECAD 5553 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT:b -
RFQ
ECAD 1767年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(11x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AIT:b -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT29F2T08ELLEEG7-QB:E Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLEEG7-QB:e 52.9800
RFQ
ECAD 3030 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F2T08ELLEEG7-QB:e 1
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E自动:b -
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(8x12) 下载 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 1G x 8 平行线 -
M29F040B70N6E Micron Technology Inc. M29F040B70N6E -
RFQ
ECAD 4990 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) M29F040 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 32-tsop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 156 非易失性 4Mbit 70 ns 闪光 512k x 8 平行线 70NS
MT41J128M8JP-125:G Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-125:G。 -
RFQ
ECAD 7080 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41J128M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-fbga(8x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 128m x 8 平行线 -
MT46V32M16TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T:f tr -
RFQ
ECAD 2233 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
M36W0R6050U4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050U4ZSE -
RFQ
ECAD 1521年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 M36W0R6050 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-3:D Tr -
RFQ
ECAD 7809 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT28F400B5SG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 T tr -
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) MT28F400B5 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 500 非易失性 4Mbit 80 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 80ns
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4NZ-046 wt:a tr -
RFQ
ECAD 2524 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V - 到达不受影响 0000.00.0000 1,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
M50FW080NB5TG TR Micron Technology Inc. M50FW080NB5TG TR -
RFQ
ECAD 9626 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.488“,12.40mm宽度) M50FW080 闪光灯 -也不 3v〜3.6V 32-tsop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 非易失性 8mbit 250 ns 闪光 1m x 8 平行线 -
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 wt:e tr -
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
N25Q128A13ESEC0G Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0G -
RFQ
ECAD 8290 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
JS28F640P30B85A Micron Technology Inc. JS28F640P30B85A -
RFQ
ECAD 3347 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F640P30 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 非易失性 64mbit 85 ns 闪光 4m x 16 平行线 85ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库