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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT60B2G8HB-52B IT:G TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HB-52B IT:g tr 18.2400
RFQ
ECAD 1278 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT60B2G8HB-52BIT:GTR 3,000
MT40A1G4HX-093E:A Micron Technology Inc. MT40A1G4HX-093E:a -
RFQ
ECAD 9682 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(9x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 1G x 4 平行线 -
NAND256W3A2BN6F TR Micron Technology Inc. NAND256W3A2BN6F TR -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand256 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 非易失性 256Mbit 50 ns 闪光 32m x 8 平行线 50ns
MT48H16M32L2F5-10 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-10 TR -
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ECAD 1968年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.9V 90-vfbga(8x13) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 易挥发的 512Mbit 7.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAH4-IT:d -
RFQ
ECAD 1736年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) - - MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHBFJ4-T:b tr -
RFQ
ECAD 3359 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1T08 Flash -nand(tlc) 1.7V〜1.95V 132-vbga(12x18) - 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1T08EEHBFJ4-T:BTR 过时的 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT29F16G08ABACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-Z:c tr -
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ECAD 2293 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR -
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ECAD 7859 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 130-VFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 130-vfbga(8x9) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),1Gbit lpdram) 闪光,ram 128m x 8 nand),32m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MTFC64GJDDN-3M WT TR Micron Technology Inc. MTFC64GJDDN-3M WT TR -
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ECAD 1330 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 169-LFBGA MTFC64 闪存-NAND 1.65V〜3.6V 169-LFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 MMC -
NAND02GW3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6E -
RFQ
ECAD 8875 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand02g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -NAND02GW3B2DN6E 3A991B1A 8542.32.0051 576 非易失性 2Gbit 25 ns 闪光 256m x 8 平行线 25ns
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E4T08EYHBBG9-3ES:b -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29E4T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 980 333 MHz 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 平行线 -
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR -
RFQ
ECAD 5498 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 432-VFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 432-VFBGA(15x15) - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
PC28F256P33BFF TR Micron Technology Inc. PC28F256P33BFF TR -
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ECAD 8813 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F256 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 非易失性 256Mbit 85 ns 闪光 16m x 16 平行线 85ns
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:d -
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 432-VFBGA MT53D1024 sdram- lpddr4 1.1V 432-VFBGA(15x15) - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R 8.1100
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ECAD 1467 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R 1
MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 Micron Technology Inc. MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 -
RFQ
ECAD 2824 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F2G16ABBGAH4-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AATE:G 5.4935
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ECAD 8527 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G16 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,260 非易失性 2Gbit 闪光 128m x 16 平行线 -
M29W640GB60ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GB60ZA6E -
RFQ
ECAD 1849年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 187 非易失性 64mbit 60 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 60ns
PF48F4400P0VBQ2F TR Micron Technology Inc. PF48F4400P0VBQ2F TR -
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ECAD 2635 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 88-TFBGA,CSPBGA 48F4400P0 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 88-SCSP (8x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 非易失性 512Mbit 85 ns 闪光 32m x 16 平行线 85ns
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 AAT:c -
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ECAD 4334 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H32M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(8x9) - 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,782 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR -
RFQ
ECAD 6302 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53B1G64 sdram- lpddr4 1.1V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT41DC11TW-V88A TR Micron Technology Inc. MT41DC11TW-V88A TR -
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ECAD 7892 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 MT41DC - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,000
MTFC64GBCAQTC-WT Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-WT 35.1800
RFQ
ECAD 3604 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTFC64GBCAQTC-WT 1,520
MT44K32M36RB-093E:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-093E:a 80.5650
RFQ
ECAD 9656 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 1.066 GHz 易挥发的 1.125Gbit 8 ns 德拉姆 32m x 36 平行线 -
M29W400BT90M1T TR Micron Technology Inc. M29W400BT90M1T TR -
RFQ
ECAD 2797 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.525英寸,宽度为13.34mm) M29W400 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 44-SO - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 500 非易失性 4Mbit 90 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 90NS
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:b -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT29F2T08CVCCBG6-6R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08CVCCBG6-6R:c -
RFQ
ECAD 7357 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 272-LFBGA MT29F2T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 272-LFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
MT25QL01GBBB8E12E01-2SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12E01-2S -
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ECAD 7066 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QL01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT52L256M64D2QB-125 XT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT:b -
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ECAD 4770 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - - MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 800 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库