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（ICS）（10403）

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MT47H64M8SH-25E AAT：h tr	-	RFQ	3819	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1	-	RFQ	6241	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	死	MT29F2G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-					过时的		1		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
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NAND256W3A2BN6F TR	-	RFQ	2930	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand256	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	256Mbit	50 ns	闪光	32m x 8	平行线	50ns
MT40A1G4HX-093E：a	-	RFQ	9682	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	1G x 4	平行线	-
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR	-	RFQ	7859	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	128m x 8 nand），32m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
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MT29F4G08ABADAH4-AT：d	-	RFQ	1042	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
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MT28EW256ABA1HPN-0SIT TR	-	RFQ	1504	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT28EW256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-VFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	256Mbit	75 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	60ns
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MT53D1024M32D4NQ-053 wt：d	-	RFQ	6891	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²