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（ICS）（10403）

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mtfc4glgdq-ait	-	RFQ	3173	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT53D1024M32D4DT-046自动：e	-	RFQ	5821	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ：a	-	RFQ	5879	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	100 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT51J256M32HF-70：b	-	RFQ	8825	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	MT51J256	sgram -gddr5	1.31v〜1.39v，1.46V〜1.55V	170-FBGA（12x14）	下载					Ear99	8542.32.0071	1,260	1.75 GHz	易挥发的	8Gbit		内存	256m x 32	平行线	-
mtfc8gakajcn-4m it	-	RFQ	9194	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT41J128M16HA-187E：d	-	RFQ	4185	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J128M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	2Gbit	13.125 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT29F32G08AECCBH1-10：c tr	-	RFQ	8057	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT62F2G32D4DS-023 AAT：b	63.8550	RFQ	2275	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023AAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
MT62F2G32D4DS-023 AIT：b tr	58.0650	RFQ	7069	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023AIT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
MT29F4G08ABAFAWP-AITES：f tr	-	RFQ	2257	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-		（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29F2T08CWCCBJ7-12：c tr	-	RFQ	7835	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F2T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	83 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
PC28F512M29EWHF	-	RFQ	1723年	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	PC28F512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	184		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	100ns
MT48LC16M16A2P-7E：d	-	RFQ	7175	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT48LC16M16A2P7ED	Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	14ns
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR	-	RFQ	8974	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
JS28F128J3F75H	-	RFQ	4461	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F128J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	128mbit	75 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	75ns
MT29F1G08ABAEAH4-AITX：e	-	RFQ	4884	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT53B384M32D2NP-062 WT：b	-	RFQ	9224	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.6 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
PC28F512M29EWL0	-	RFQ	1389	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	PC28F512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	184		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	100ns
MT29F64G08CBCABH1-12Z：a	-	RFQ	7881	微米技术公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT48H32M16LFCJ-75：A Tr	-	RFQ	2499	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H32M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
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M25P40-VMN3PB	-	RFQ	9599	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P40	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	75 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES：d	-	RFQ	3367	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D1536	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	1.5GX 32	-	-
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR	-	RFQ	4985	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
PC28F128J3D75D TR	-	RFQ	7327	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	128mbit	75 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	75ns
MT41J256M8DA-125：k	-	RFQ	3654	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J256M8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT41K512M8RH-125 M：e	-	RFQ	4122	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT40A256M16GE-083E：b tr	-	RFQ	9247	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x14）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT40A256M16GE-083E：BTR	过时的		2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
mtfc8gluea-wt	-	RFQ	3491	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
RC28F256P33T85A	-	RFQ	2949	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	RC28F256	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	64- easybga（8x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	非易失性	256Mbit	85 ns	闪光	16m x 16	平行线	85ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²