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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | MT53E384M64D4NK-046 wt:e | - | ![]() | 3665 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | MT53E384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | 到达不受影响 | 557-MT53E384M64D4NK-046WT:e | 过时的 | 119 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 384m x 64 | - | - | ||||||||
![]() | MT46V16M16TG-75 IT:f | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
MT46V16M16CY-5B:m | - | ![]() | 3563 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-fbga(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
MT25QU128ABB8E12-0AUT TR | 4.3247 | ![]() | 4763 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT25QU128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | ||||
![]() | MT53D256M64D4KA-046 XT:b | - | ![]() | 4706 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53D256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | MT49H16M18BM-5:b | - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | M29W640FT70N6F TR | - | ![]() | 1839年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR | - | ![]() | 7620 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 557-MT40A1G8AG-062EAUT:RTR | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF:a tr | 70.9650 | ![]() | 7425 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F2T08 | Flash -nand(tlc) | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF:ATR | 8542.32.0071 | 2,000 | 333 MHz | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | mtfc8gamalna-ait es tr | - | ![]() | 2333 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | - | 100-TBGA(14x18) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT55L256L | sram-同步,ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT29F8T08EULCHD5-QA:c tr | 167.8050 | ![]() | 5398 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-QA:CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M16BN-75:c | - | ![]() | 6463 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | - | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT46V32M8FG-75 L:G Tr | - | ![]() | 7673 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-FBGA | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(8x14) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR | 9.3300 | ![]() | 4363 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | MT28EW512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-lbga(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 512Mbit | 95 ns | 闪光 | 64m x 8,32m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | mtfc64gajaedn-ait | - | ![]() | 9723 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 169-LFBGA | MTFC64 | 闪存-NAND | - | 169-LFBGA(14x18) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | MMC | - | |||||
MT46V64M8CV-5B IT:j | - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-fbga(8x12.5) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | MT58L256L36FT-10 | 15.6400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT52L768M32D3PU-107 wt:b tr | - | ![]() | 6886 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-WFBGA | MT52L768 | sdram- lpddr3 | 1.2V | 168-FBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 768m x 32 | - | - | |||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AIT:c tr | 58.0650 | ![]() | 9529 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AIT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 2G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT29F4G08ABADAH4:d | - | ![]() | 5540 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | mtfc256gaoamam-wt es tr | - | ![]() | 5596 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | - | - | MTFC256 | 闪存-NAND | - | - | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT47H16M16BG-5E:b tr | - | ![]() | 4143 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-fbga(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 600 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | mtfc32gazaqhd-wt | 18.0200 | ![]() | 1781年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 153-VFBGA | mtfc32g | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC32GAZAQHD-WT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | ||
![]() | MT29F256G08AMCBBH7-6IT:b tr | - | ![]() | 1649年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 152-TBGA | MT29F256G08 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT52L512M64D4PQ-107 WT:b tr | - | ![]() | 3618 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 253-VFBGA | MT52L512 | sdram- lpddr3 | 1.2V | 253-VFBGA(11x11.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||
![]() | MT29F2G08ABDWP:d | - | ![]() | 2475 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F256G08CMCABH2-12Z:a | - | ![]() | 5478 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F256G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,120 | 83 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | EDB2432BCPE-8D-FD | - | ![]() | 9423 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-WFBGA | EDB2432 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 168-WFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,680 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AUT:C TR | 73.4400 | ![]() | 8011 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AUT:CTR | 2,000 |
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