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![]() | MT40A256M16GE-062E:b tr | - | ![]() | 9652 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(9x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT40A256M16GE-062E:BTR | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||
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![]() | MT28F400B3SG-8 TET TR | - | ![]() | 1858年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) | MT28F400B3 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 44-SO | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 非易失性 | 4Mbit | 80 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 80ns | |||
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![]() | MT53B2DBNP-DC TR | - | ![]() | 4159 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4 | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 易挥发的 | 德拉姆 | |||||||||||
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![]() | MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR | - | ![]() | 1328 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | ||||
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![]() | JS28F256M29EWHB TR | - | ![]() | 1297 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F256M29 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 非易失性 | 256Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 8,16m x 16 | 平行线 | 110NS | |||
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![]() | M36L0R7050B4ZAQE | - | ![]() | 8877 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | M36L0R7050 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F4T08EULUEEM4-QJ:e tr | 105.9600 | ![]() | 7278 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ:ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | NAND512WA2SZA6F TR | - | ![]() | 3465 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-TFBGA | Nand512 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 512Mbit | 50 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 50ns | |||
![]() | MT48LC8M8A2P-6A:J Tr | - | ![]() | 9905 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 8 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 | 21.6407 | ![]() | 8659 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213 | 1,520 | |||||||||||||||||||||
MT53E1G64D8NW-053 wt:e | - | ![]() | 6939 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | MT53E1G64 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 1G x 64 | - | - | ||||||||||
MT46H128M16LFDD-48 AIT:c | - | ![]() | 3228 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-vfbga | MT46H128M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-vfbga(8x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,782 | 208 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 14.4ns | |||
![]() | M25P80-VMW6TGBA TR | - | ![]() | 2843 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | M25P80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SO W | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 75 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | spi | 15ms,5ms | |||
![]() | MT29F1T08EEHAFJ4-3R:a tr | - | ![]() | 9248 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F1T08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT29F1T08EEHAFJ4-3R:ATR | 过时的 | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | 平行线 | - | |||
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![]() | mtfc64gbcavtc-aat es tr | 38.4600 | ![]() | 5345 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MTFC64GBCAVTC-AATESTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F1G08ABAFAH4-ITE:f | - | ![]() | 9994 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - |
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