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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29F1G08ABBDAH4：D TR	-	RFQ	5090	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT25QU128ABA8E12-1SIT TR	-	RFQ	1931年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QU128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		MT25QU128ABA8E12-1SITTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT	-	RFQ	1551年	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
N25Q128A13E1440F TR	-	RFQ	6531	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
M29F800FB5AM6F2 TR	-	RFQ	9997	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	500		非易失性	8mbit	55 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	55ns
MT25TU01GHBB8ESF-0SIT TR	-	RFQ	9029	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
M25P40-VMN3TP/X TR	-	RFQ	8776	微米技术公司	-	（CT）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P40	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	50 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
MT53E384M32D2DS-053 wt：e	12.3100	RFQ	7534	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E384M32D2DS-053WT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
PN28F256M29EWHD	-	RFQ	4619	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	PN28F256M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	576		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	100ns
MT53E256M32D2DS-046 wt：b tr	11.6400	RFQ	9807	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E256M32D2DS-046WT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
M29F400BB90N6	-	RFQ	9060	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F400	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	90 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	90NS
MT46H128M32L2KQ-5 WT：b	-	RFQ	9545	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT46H128M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	4Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 32	平行线	15ns
MTFC256GBCAQTC-IT	95.4200	RFQ	1873年	微米技术公司	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MTFC256GBCAQTC-IT			1,520
N25W256A11EF840F TR	-	RFQ	5695	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	N25W256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	64m x 4	spi	-
mtfc32gjuef-ait tr	-	RFQ	7288	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT53D1024M32D4DT-046 AIT：D Tr	35.5500	RFQ	1052	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT40A1G16KH-062E AIT：e	15.6150	RFQ	8976	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载				557-MT40A1G16KH-062EAIT：e			1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	荚	15ns
N25Q00AA13G1241F TR	-	RFQ	4398	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-LBGA	N25Q00AA13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-lpbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	256m x 4	spi	8ms，5ms
MT62F3G32D8DV-026 AIT：b	86.2050	RFQ	9714	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-026AIT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
PC28F128P30BF65A	-	RFQ	7394	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	非易失性	128mbit	65 ns	闪光	8m x 16	平行线	65ns
MT41J64M16JT-15E IT：G Tr	-	RFQ	8587	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT29F1G08ABAEAWP-ITX：e tr	3.2700	RFQ	1	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT52L256M64D2PD-107 XT：b tr	-	RFQ	6340	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	216-WFBGA	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	216-FBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1	-	RFQ	2031	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29F1T08CUCABK8-6：A TR	-	RFQ	2549	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR	-	RFQ	8266	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	128mbit	95 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	60ns
MT47H64M8SH-25E：h	-	RFQ	4182	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,518	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT29F8G16ABACAWP-IT：c tr	-	RFQ	3401	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
MT29F512G08EBHAFJ4-3R：a tr	-	RFQ	6420	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F512G08EBHAFJ4-3R：ATR	过时的	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
EDB2432B4MA-1DAUT-FD	-	RFQ	7856	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB2432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,100	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²