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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR 4.2442
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) MT25QU128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 8-so - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 1.8ms
MTFC64GBCAQTC-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-AIT TR 22.2750
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC64GBCAQTC-AITTR 2,000
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 wt:c tr 67.8450
RFQ
ECAD 5913 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 556-TFBGA sdram- lpddr4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 1.5MX 64 - -
MT53E4DADT-DC Micron Technology Inc. MT53E4DADT-DC 22.5000
RFQ
ECAD 1540年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53E4 - rohs3符合条件 到达不受影响 557-MT53E4DADT-DC 1,360
MT41K64M16TW-107 AIT:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AIT:j 4.0764
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,224 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 -
M29W040B70N6E Micron Technology Inc. M29W040B70N6E -
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) M29W040 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 32-tsop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 156 非易失性 4Mbit 70 ns 闪光 512k x 8 平行线 70NS
MT29F2T08EMLEEJ4-QJ:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QJ:e tr 52.9800
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ:ETR 2,000
MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 Tr -
RFQ
ECAD 5705 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 MT29VZZZ7 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,000
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NK-062 XT ES:c -
RFQ
ECAD 1515年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT40A512M16TD-062E AIT:R TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TD-062E AIT:r tr -
RFQ
ECAD 4133 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 96-TFBGA 96-fbga(7.5x13) - 到达不受影响 557-MT40A512M16TD-062EAIT:RTR 1
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAHC-IT:D Tr -
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 267 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4DT-062 AIT:b tr -
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53B768 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 768m x 32 - -
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAGAM79A3WC1 -
RFQ
ECAD 2148 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-AAT:f 2.9984
RFQ
ECAD 3752 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT:f 8542.32.0071 210 非易失性 1Gbit 25 ns 闪光 128m x 8 平行线 25ns
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT:e 3.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCBBH7-6R:b tr -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 166 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT47H64M8CF-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E IT:G -
RFQ
ECAD 4233 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT29F256G08CECABH6-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-10:a -
RFQ
ECAD 6230 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 557-MT29F256G08CECABH6-10:a 过时的 1,000
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT -
RFQ
ECAD 9581 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 130-VFBGA MT29C1G56 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 130-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),256Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 64m x 16(NAND),16m x 16(lpdram) 平行线 -
MT58L256L32PS-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32PS-7.5 8.9300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L256L32 sram-同步 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 8mbit 4 ns SRAM 256K x 32 平行线 -
MTFC64GAZAQHD-IT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-it tr 29.3250
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA MTFC64 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC64GAZAQHD-ITTR 2,000 200 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 EMMC -
MT58L128L36F1T-8.5C Micron Technology Inc. MT58L128L36F1T-8.5C 5.2200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4Mbit 8.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
MT62F2G64D8EK-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 wt:c tr 90.4650
RFQ
ECAD 4584 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT:CTR 2,000 4.266 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 2G x 64 平行线 -
MT58L512Y36FT-6.8 Micron Technology Inc. MT58L512Y36FT-6.8 18.6700
RFQ
ECAD 607 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.8 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
JS28F512M29EWH0 Micron Technology Inc. JS28F512M29EWH0 -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F512M29 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 96 非易失性 512Mbit 110 ns 闪光 64m x 8,32m x 16 平行线 110NS
MT44K16M36RB-107E IT:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E IT:b -
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K16M36 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,190 933 MHz 易挥发的 576Mbit 8 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
JS28F320J3F75A Micron Technology Inc. JS28F320J3F75A -
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F320J3 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 32Mbit 75 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 75ns
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Micron Technology Inc. MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F -
RFQ
ECAD 5765 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 162-VFBGA MT29AZ5A3 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.9V 162-VFBGA(10.5x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),8Gbit(8gbit lpddr2) 闪光,ram 512m x 8 nand),512m x 16 lpddr2) 平行线 -
MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U TR Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U TR 12.3900
RFQ
ECAD 9573 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29AZ5 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库