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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT41K1G8RKB-107:N Micron Technology Inc. MT41K1G8RKB-107:n -
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,440 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 -
MT41K512M16VRN-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AIT:p 19.1550
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT41K512M16VRN-107AIT:p Ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
M29W128FH70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128FH70ZA6E -
RFQ
ECAD 7625 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M29W128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TBGA(10x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 136 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 70NS
MT29F512G08CMEABH7-12:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CMEABH7-12:a -
RFQ
ECAD 5512 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-IT:f tr -
RFQ
ECAD 8353 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT:ftr 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT40A1G16TB-062E IT:F Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E IT:f 14.9550
RFQ
ECAD 8827 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-fbga(7.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A1G16TB-062EIT:f 3A991B1A 8542.32.0071 1 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 WT ES:b -
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 366-WFBGA MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V 366-WFBGA(15x15) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 - -
MTFC512GBCAVHE-WT Micron Technology Inc. mtfc512gbcavhe-wt 63.8550
RFQ
ECAD 3070 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTFC512GBCAVHE-WT 1
MT29F8T08GULCEM4-QM:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QM:c tr 156.3000
RFQ
ECAD 1050 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F8T08GULCEM4-QM:CTR 2,000
MT53E128M32D2FW-046 IT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 IT:a 7.4714
RFQ
ECAD 9836 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046IT:a 1 2.133 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 32 平行线 18NS
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT:c 51.3600
RFQ
ECAD 3421 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AIT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 3.5 ns 德拉姆 2G x 32 平行线 18NS
MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E:C TR 11.4150
RFQ
ECAD 6589 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA (9x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 易挥发的 2Gbit 400 ps 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
MT62F768M64D4EJ-031 WT:A TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 wt:a tr 77.2200
RFQ
ECAD 8950 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT62F768 - 到达不受影响 557-MT62F768M64D4EJ-031WT:ATR 1,500
MT42L128M64D2LL-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-25 IT:a -
RFQ
ECAD 7713 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 216-WFBGA MT42L128M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 216-fbga(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,008 400 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
M29W800DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DT70ZE6E -
RFQ
ECAD 9902 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W800 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 187 非易失性 8mbit 70 ns 闪光 1M x 8,512k x 16 平行线 70NS
MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR Micron Technology Inc. MT42L64M32D2HE-18 IT:D Tr 8.8050
RFQ
ECAD 5304 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-VFBGA MT42L64M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 134-vfbga(10x11.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT42L64M32D2HE-18IT:DTR Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 -
RFQ
ECAD 3214 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F4G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V - 过时的 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F1G08ABADAWP:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP:d -
RFQ
ECAD 8981 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
M29F800DT70M6E Micron Technology Inc. M29F800DT70M6E -
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.525英寸,宽度为13.34mm) M29F800 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 16 非易失性 8mbit 70 ns 闪光 1M x 8,512k x 16 平行线 70NS
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:c tr 90.3150
RFQ
ECAD 4118 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT:CTR 2,000
MTFC32GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-ait es tr -
RFQ
ECAD 8704 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc32g 闪存-NAND - 100-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT58L64L36FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L36FT-7.5 5.1700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 易挥发的 2Mbit 7.5 ns SRAM 64k x 36 平行线 -
MT29F4T08GLLCEG7-QB:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GLLCEG7-QB:c 78.1500
RFQ
ECAD 9217 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB:c 1
MTFC64GAPALHT-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gapalht-ait -
RFQ
ECAD 9898 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) MTFC64 闪存-NAND - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC64GAPALHT-AIT 8542.32.0071 980 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
M58LR256KB70ZQ5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZQ5F TR -
RFQ
ECAD 5690 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 88-TFBGA M58LR256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 88-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 16m x 16 平行线 70NS
MT29F1G16ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4:e tr -
RFQ
ECAD 9086 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT53B512M32D2DS-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 XT:c -
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT40A1G8Z11BWC1 Micron Technology Inc. MT40A1G8Z11BWC1 9.0100
RFQ
ECAD 9552 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 - 表面安装 MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 晶圆 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 易挥发的 8Gbit 德拉姆 1G x 8 平行线 -
MT60B1G16HC-48B:A Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-48B:a 16.5750
RFQ
ECAD 5069 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 102-VFBGA SDRAM -DDR5 - 102-VFBGA(9x14) - 557-MT60B1G16HC-48B:a 1 2.4 GHz 易挥发的 16Gbit 16 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 -
MT58L256V36PS-6 TR Micron Technology Inc. MT58L256V36PS-6 Tr 5.9800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 100 166 MHz 易挥发的 8mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库