SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F1T08EBLCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QJ:c 20.9850
RFQ
ECAD 1596年 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QJ:c 1
MT62F1G64D4EK-023 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 wt:c 68.0400
RFQ
ECAD 3224 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023WT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
MT29VZZZCD9GQKPR-046 W.12L TR Micron Technology Inc. MT29VZZCD9GQKPR-046 W.12L TR 81.4800
RFQ
ECAD 9100 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29VZZCD9GQKPR-046W.12LTR 2,000
MTFC64GBCAQTC-IT Micron Technology Inc. mtfc64gbcaqtc-it 29.0800
RFQ
ECAD 8935 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTFC64GBCAQTC-IT 1,520
MT41J128M16JT-107:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-107:k -
RFQ
ECAD 5378 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
M28W640HCT70N6F TR Micron Technology Inc. M28W640HCT70N6F TR -
RFQ
ECAD 9482 0.00000000 微米技术公司 - (CT) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M28W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 4m x 16 平行线 70NS
MT29F1T08EELGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELGEJ4-ITF:G TR 38.2050
RFQ
ECAD 8140 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F1T08EELGEJ4-ITF:GTR 2,000
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4NQ-046 wt:a -
RFQ
ECAD 4253 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53E2G32 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 557-MT53E2G32D4NQ-046WT:a 过时的 136 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 2G x 32 - -
MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:c tr 82.1100
RFQ
ECAD 8948 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT:CTR 2,000
MT53E256M16D1DS-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 AIT:b tr -
RFQ
ECAD 2832 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) MT53E256 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E256M16D1DS-046AIT:BTR 过时的 2,000 2.133 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 - -
MT58L256L36PS-6 Micron Technology Inc. MT58L256L36PS-6 5.1400
RFQ
ECAD 81 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 8mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
N25Q128A21BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A21BF840F TR -
RFQ
ECAD 1889年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25Q128A21 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 8-vdfpn(MLP8)(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,5ms
MT53B4DAEZ-DC TR Micron Technology Inc. MT53B4DAEZ-DC TR -
RFQ
ECAD 5119 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - MT53B4 sdram- lpddr4 - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 易挥发的 德拉姆
MT46H8M16LFBF-6:K Micron Technology Inc. MT46H8M16LFBF-6:k -
RFQ
ECAD 9917 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H8M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(8x9) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 易挥发的 128mbit 5 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT:b 47.8950
RFQ
ECAD 5745 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 556-TFBGA sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT:b 1 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 768m x 64 平行线 18NS
MT42L64M32D1TK-18 IT:C TR Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18 IT:c tr -
RFQ
ECAD 4742 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-WFBGA MT42L64M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 134-FBGA (10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 533 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 平行线 -
M29W640GB70ZA6EP Micron Technology Inc. M29W640GB70ZA6EP -
RFQ
ECAD 6312 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -M29W640GB70ZA6EP 3A991B1A 8542.32.0071 187 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT40A4G4SA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A4G4SA-062E:f 22.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A4G4SA-062E:f Ear99 8542.32.0036 1,260 1.5 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 4G x 4 平行线 15ns
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AECBBH6-6IT:b tr -
RFQ
ECAD 1060 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT53E128M16D1DS-053 IT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 IT:a -
RFQ
ECAD 4999 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E128 sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA(10x14.5) - 3(168)) 557-MT53E128M16D1DS-053IT:a 过时的 1,360 1.866 GHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 128m x 16 平行线 -
MT25QU256ABA8E12-MAAT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-MAAT TR 5.4450
RFQ
ECAD 9830 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) - 557-MT25QU256ABA8E12-MAATTR 2,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 1.8ms
MT62F4G32D8DV-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 AAT:b tr 126.4350
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-026AAT:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
MT35XU256ABA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU256ABA1G12-0AAT -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 微米技术公司 XCCELA™-MT35X 大部分 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 24-TBGA MT35XU256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 XCCELA巴士 -
MTFC16GAPALNA-AAT Micron Technology Inc. mtfc16gapalna-aat -
RFQ
ECAD 4238 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 MTFC16 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 980
MT46H64M16LFBF-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-5 IT:b 7.8100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H64M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,782 200 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT48H16M32LFCM-75:A TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75:A TR -
RFQ
ECAD 8728 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AAT:k tr 5.7000
RFQ
ECAD 9773 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT41K256M8DA-125AAT:KTR Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
MT53E2G32D4DE-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 wt:c tr 42.4500
RFQ
ECAD 4219 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) 下载 557-MT53E2G32D4DE-046WT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 3.5 ns 德拉姆 2G x 32 平行线 18NS
MT41K256M8DA-125:M Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:m -
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 -
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 wt:c tr 12.7300
RFQ
ECAD 6626 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 14.4ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库