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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E Micron Technology Inc. mt29f2g08abbeahc-it:e 4.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT25QL01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12-0AAT TR 17.3100
RFQ
ECAD 9226 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QL01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT29F4G16ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBEAH4:E TR -
RFQ
ECAD 6157 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MTFC32GAMAKAM-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gamakam-wt es tr -
RFQ
ECAD 5362 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) - - mtfc32g 闪存-NAND - - - (1 (无限) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT53B128M32D1DS-062 IT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 IT:a -
RFQ
ECAD 2849 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B128 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) MT53B128M32D1DS-062IT:a Ear99 8542.32.0036 1 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
MT47H64M8SH-25E IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E IT:h -
RFQ
ECAD 9556 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,518 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT29F4T08EULGEM4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULGEM4-ITF:G Tr 130.1100
RFQ
ECAD 8374 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F4T08EULGEM4-ITF:GTR 2,000
M29DW323DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29DW323DT70ZE6E -
RFQ
ECAD 4567 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29DW323 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -M29DW323DT70ZE6E 3A991B1A 8542.32.0071 187 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 70NS
PC28F128P33B85B TR Micron Technology Inc. PC28F128P33B85B TR -
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ECAD 9060 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F128 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 非易失性 128mbit 85 ns 闪光 8m x 16 平行线 85ns
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-ITX:e -
RFQ
ECAD 2911 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEBBL85C3WC1 -
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 (1 (无限) 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MTFC64GJTDN-3F WT Micron Technology Inc. mtfc64gjtdn-3f wt -
RFQ
ECAD 5222 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 - MTFC64 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
MT61K512M32KPA-16:C Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-16:c 19.4100
RFQ
ECAD 7845 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 180-TFBGA sgram -gddr6 1.3095V〜1.3905V 180-FBGA(12x14) - 557-MT61K512M32KPA-16:c 1 8 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 POD_135 -
MT40A1G8AG-062E AAT:R TR Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E AAT:r tr -
RFQ
ECAD 4189 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 557-MT40A1G8AG-062EAAT:RTR 1
MTFC128GAXATEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc128gaxatea-wt tr 20.4900
RFQ
ECAD 6379 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 153-VFBGA Flash -nand(slc) - 153-VFBGA(11.5x13) - 557-MTFC128GAXATEA-WTTR 2,000 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 UFS 3.1 -
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-708 wt f tr -
RFQ
ECAD 3529 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-VFBGA(6x9) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
MT41K256M16TW-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107:P Tr 5.2703
RFQ
ECAD 3454 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT41K256M16TW-107:PTR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G 2.5267
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F2G16 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G 8542.32.0071 960 非易失性 2Gbit 闪光 128m x 16 平行线 -
NP8P128AE3TSM60E Micron Technology Inc. NP8P128AE3TSM60E -
RFQ
ECAD 2855 0.00000000 微米技术公司 Omneo™ 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) NP8P128A PCM (婴儿车) 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 128mbit 135 ns PCM (婴儿车) 16m x 8 平行,Spi 135ns
MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L 7.3700
RFQ
ECAD 1032 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜70°C(TA) - - Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V - - 557-MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L 1 非易失性 8Gbit 25 ns 闪光 1G x 8 onfi 25ns
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 WT:b 34.6500
RFQ
ECAD 5535 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 556-TFBGA MT53E512 sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 557-MT53E512M64D2HJ-046WT:b 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 64 平行线 18NS
MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A TR -
RFQ
ECAD 1006 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) MT53E1G64 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E1G64D4SQ-046AIT:ATR 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
EDBA232B2PF-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA232B2PF-1D-FD -
RFQ
ECAD 7796 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 168-TFBGA EDBA232 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 168-FBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,680 533 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 平行线 -
MT53E384M64D4NK-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E384M64D4NK-053 wt:e -
RFQ
ECAD 8561 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V - 557-MT53E384M64D4NK-053WT:e 过时的 119 1.866 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 - -
NP5Q128AE3ESFC0E Micron Technology Inc. NP5Q128AE3ESFC0E -
RFQ
ECAD 9478 0.00000000 微米技术公司 Omneo™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) NP5Q128A PCM (婴儿车) 2.7V〜3.6V 16件事 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 240 33 MHz 非易失性 128mbit 360 µs PCM (婴儿车) 16m x 8 spi 350µs
MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G Tr 2.7962
RFQ
ECAD 2441 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F2G16ABAGAWP-AAT:GTR 1,000
MT40A1G16TB-062E:F Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E:f 17.0800
RFQ
ECAD 9155 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-fbga(7.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,020 1.5 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
N25Q032A13EV741 Micron Technology Inc. N25Q032A13EV741 -
RFQ
ECAD 7579 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TA) - - N25Q032A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
MT46V32M16BN-5B IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B IT:f -
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-fbga(10x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT29F16T08GWLCEM5-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GWLCEM5-QB:c 312.5850
RFQ
ECAD 4181 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F16T08GWLCEM5-QB:c 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库