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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR | - | ![]() | 5486 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 130-vfbga(8x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性,挥发性 | 1GBIT(NAND),1Gbit lpdram) | 闪光,ram | 128m x 8 nand),32m x 32 lpdram(LPDRAM) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT46H1M32LFCM-5:b tr | - | ![]() | 9851 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT53D1024M32D4NQ-062 wt:d | - | ![]() | 2969 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | MT53D1024 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | - | - | |||
![]() | MT44K16M36RB-125E:A Tr | - | ![]() | 4063 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 德拉姆 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 10 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT29F512G08EBLEEJ4-R:e | 10.7250 | ![]() | 5992 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 132-vbga | Flash -nand(tlc) | 2.6v〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-R:e | 1 | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | 平行线 | - | |||||||||
MT41J64M16JT-187E:G。 | - | ![]() | 8726 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR | - | ![]() | 6970 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MT29RZ4 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | MT45W1MW16PABA-70 WT TR | - | ![]() | 5312 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-VFBGA | MT45W1MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 16mbit | 70 ns | PSRAM | 1m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT62F1G64D8EK-031 AIT:b tr | 56.4300 | ![]() | 3438 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AIT:BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 1G x 64 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT28F320J3RG-11 MET | - | ![]() | 1183 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28F320J3 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Mbit | 110 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MT46V64M8P-5B L IT:J TR | - | ![]() | 4975 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29F64G08AKCBBH2-12IT:b | - | ![]() | 5787 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT45W1MW16PAFA-70 wt tr | - | ![]() | 6058 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-VFBGA | MT45W1MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 16mbit | 70 ns | PSRAM | 1m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT53E256M16D1FW-046 AIT:b | 12.5300 | ![]() | 5406 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | MT53E256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT53E256M16D1FW-046AIT:b | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | - | - | |||||
![]() | MT46V64M8BN-75:D Tr | - | ![]() | 2160 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | - | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT46V32M16P-5B L:J Tr | - | ![]() | 8372 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29F384G08EBCBBJ4-37:b tr | - | ![]() | 7749 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F384G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 非易失性 | 384Gbit | 闪光 | 48g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | PC28F512P30EF0 | - | ![]() | 9478 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Axcell™ | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | PC28F512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- easybga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 100ns | ||
MT41K64M16TW-125:J Tr | - | ![]() | 2494 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | JS28F512P30BFA | - | ![]() | 9263 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Axcell™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F512P30 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 110NS | ||
![]() | MT53B4DAEZ-DC TR | - | ![]() | 5119 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | - | MT53B4 | sdram- lpddr4 | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 易挥发的 | 德拉姆 | |||||||||||
![]() | N25Q128A21BF840F TR | - | ![]() | 1889年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | N25Q128A21 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-vdfpn(MLP8)(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 8ms,5ms | |||
![]() | MT58L64L36FT-8 | 5.0400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | SRAM | 64k x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | M50FW016N5G | - | ![]() | 3796 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -20°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) | M50FW016 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 40-tsop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | 非易失性 | 16mbit | 250 ns | 闪光 | 2m x 8 | 平行线 | - | ||
![]() | MT61M512M32KPA-14 AAT:c tr | 42.1050 | ![]() | 7943 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT61M512M32KPA-14AAT:CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E512M64D4NK-046 wt:d | - | ![]() | 1559年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 366-WFBGA | MT53E512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA(15x15) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E512M64D4NK-046WT:DTR | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | ||
![]() | mtfc32gazaqhd-aat tr | 19.0800 | ![]() | 9732 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | mtfc32g | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC32GAZAQHD-AATTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT53E768M32D2NP-046 wt:b tr | 14.6700 | ![]() | 8931 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT53E768M32D2NP-046WT:BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT62F1G64D4EK-023 wt:c | 68.0400 | ![]() | 3224 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT:c | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 1G x 64 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT66R7072A10ACUXZW.ZCA | - | ![]() | 6878 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM -LPDDR2,MCP -LPDDR2 | 1.14v〜1.95v | 121-vfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit(PCM),512Mbit (MCP) | 内存 | 128m x 8(PCM),64m x 8(MCP) | 平行线 | - |
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