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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
N25Q032A13EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13EF640F TR -
RFQ
ECAD 9737 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25Q032A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-vdfn(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
JR28F032M29EWBB TR Micron Technology Inc. JR28F032M29EWBB TR -
RFQ
ECAD 4402 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JR28F032M29 闪光灯 -也不 未行业行业经验证 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 70NS
MT44K32M18RB-125E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125E IT:a tr -
RFQ
ECAD 1956年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K32M18 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 800 MHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR 4.2442
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ECAD 3925 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) MT25QL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 1.8ms
MT29F4T08EULEEM4-M:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EULUEEM4-M:E 85.7850
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ECAD 8880 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 未行业行业经验证 - 557-MT29F4T08EUULUEEM4-M:e 1
MT40A512M8RH-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AAT:b -
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ECAD 3000 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,260 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 512m x 8 平行线 -
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 wt:c -
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ECAD 9972 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,008 208 MHz 易挥发的 4Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 32 平行线 14.4ns
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 AAT:b 32.5650
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ECAD 2651 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031AAT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
NAND04GW3C2BN6E Micron Technology Inc. NAND04GW3C2BN6E -
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ECAD 6688 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand04g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -NAND04GW3C2BN6E 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 4Gbit 25 ns 闪光 512m x 8 平行线 25ns
MT53E384M32D2DS-053 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AIT:e tr 10.7700
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ECAD 3771 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E384M32D2DS-053AIT:ETR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT53B1DATG-DC Micron Technology Inc. MT53B1DATG-DC -
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ECAD 6798 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 sdram- lpddr4 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 960 易挥发的 德拉姆
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 IT:G Tr -
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ECAD 6103 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- lpsdr 2.3v〜2.7V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
MT40A2G8NEA-062E:R Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E:r 21.7650
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ECAD 3877 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A2G8NEA-062E:R 1,260 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 13.75 ns 德拉姆 2G x 8 平行线 15ns
NAND512R3A2SZA6E Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZA6E -
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ECAD 2091 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-TFBGA Nand512 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 290 非易失性 512Mbit 50 ns 闪光 64m x 8 平行线 50ns
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-10:A TR -
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ECAD 3812 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 wt:a tr -
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ECAD 1470 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 - -
MT25QL01GBBB8ESFE01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBBB8ESFE01-2S​​ IT -
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ECAD 9974 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25QL01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT25QL01GBBB8ESFE01-2S​​ ITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR -
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ECAD 8533 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 MT29VZZZBD8 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,000
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAHC-IT:e -
RFQ
ECAD 5555 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT62F3G32D8DV-026 AAT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AAT ES:B TR 163.3950
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ECAD 1840年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AATES:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 3G x 32 平行线 -
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCCBJ7-6C:c -
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ECAD 3344 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F2T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
JS28F128M29EWHF Micron Technology Inc. JS28F128M29EWHF -
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ECAD 2423 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F128M29 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 70NS
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 1412 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT46V16M8P-6T:DTR Micron Technology Inc. MT46V16M8P-6T:DTR -
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ECAD 4262 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 16m x 8 平行线 15ns
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR -
RFQ
ECAD 1216 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B128 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
MTFC128GAJAECE-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-AIT TR -
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ECAD 2196 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-LFBGA MTFC128 闪存-NAND - 169-LFBGA(14x18) - 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 MMC -
M45PE40-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M45PE40-VMW6TG TR -
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ECAD 1348 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) M45PE40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SO W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 75 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 15ms,3ms
MT29F4G01ABAFD12-AUT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-AUT:f 4.2603
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ECAD 2937 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F4G01ABAFD12-AUT:f 1
MT46V32M16FN-6 IT:C Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6 IT:c -
RFQ
ECAD 4399 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-fbga(10x12.5) - Rohs不合规 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT38M5041A3034EZZI.XR6 Micron Technology Inc. MT38M5041A3034EZZI.xr6 -
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ECAD 4105 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-VFBGA MT38M5041 flash-也不,psram 1.7V〜1.95V 56-VFBGA(8x8) - (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,560 133 MHz 非易失性,挥发性 512mbit(Flash),128mbit(ram) 闪光,ram 32m x 16,8m x 16 平行线 -
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