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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | mtfc8gludm-ait tr | - | ![]() | 4672 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | mtfc8 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT29F1HT08ELCBBG1-37:b tr | - | ![]() | 1987 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 272-VFBGA | MT29F1HT08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 272-vbga(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 非易失性 | 1.5Tbit | 闪光 | 192g x 8 | 平行线 | - | ||||
MT29F1G08ABAEAWP:e tr | 2.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - | ||||||
MT47H32M16HR-25E IT:G。 | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | MT58L64L32FT-8.5 | 4.9100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 8.5 ns | SRAM | 64k x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT46V16M16TG-5B:f tr | - | ![]() | 2294 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT48LC8M8A2P-7E L:G。 | - | ![]() | 5981 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 8 | 平行线 | 14ns | |||
![]() | MT40A256M16GE-083E:b | - | ![]() | 7032 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(9x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT46V64M4TG-75:G Tr | - | ![]() | 6890 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V64M4 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 64m x 4 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | N25Q064A13EF8A0E | - | ![]() | 1888年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | N25Q064A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-vdfpn(MLP8)(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 16m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | MT53B256M32D1DS-062 AAT:c | - | ![]() | 7944 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 256m x 32 | - | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | MT58L256L36PT-6 | 8.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L256L36 | sram-同步 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc4gacajcn-1m wt | - | ![]() | 3850 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | mtfc4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT55V512V36FT-8.8 | 17.3600 | ![]() | 480 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT55V512V | sram-同步,ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT54W2MH8BF-6 | 33.0600 | ![]() | 698 | 0.00000000 | 微米技术公司 | QDR® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | sram-同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 500 ps | SRAM | 2m x 8 | HSTL | - | ||||
![]() | PC28F256P30BFF TR | - | ![]() | 4468 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | PC28F256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 16m x 16 | 平行线 | 100ns | |||
![]() | MT40A4G4JC-062E:e | - | ![]() | 5048 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(9x11) | 下载 | 557-MT40A4G4JC-062E:e | 过时的 | 1 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 4G x 4 | 荚 | 15ns | |||||||
![]() | MT49H32M18SJ-25:b tr | - | ![]() | 5267 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT46H64M32L2JG-6 IT:a tr | - | ![]() | 5525 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT29RZ2B2DZZHHHHHHHTB-18I.88F TR | - | ![]() | 6960 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 162-VFBGA | MT29RZ2B2 | flash -nand,dram -lpddr2 | 1.8V | 162-VFBGA(10.5x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 非易失性,挥发性 | 2GBIT(NAND),2Gbit(LPDDR2) | 闪光,ram | 256m x 8 nand),64m x 32 lpddr2) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT42L256M64D4EV-18 wt:a | - | ![]() | 9855 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 253-TFBGA | MT42L256M64 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 253-fbga(11x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | 平行线 | - | |||||
![]() | mtfc8gacaecn-1m wt | - | ![]() | 8087 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | mtfc8 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||||||
![]() | MT58L128L32P1T-7.5C | 4.7500 | ![]() | 301 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 4 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | ||||
MT29F128G08AJAAWP-Z:A Tr | - | ![]() | 6832 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||||
MT29F8G08ABACAWP:c | - | ![]() | 5952 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F8G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT29F8T08EWLCEM5-QJ:c tr | 242.1750 | ![]() | 1924年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ:CTR | 1,500 | ||||||||||||||||||||||
![]() | M25P40-VMN6 | - | ![]() | 2062 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M25P40 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 50 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 15ms,5ms | ||||
![]() | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR | - | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 162-VFBGA | MT29AZ5A3 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.9V | 162-VFBGA(10.5x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 533 MHz | 非易失性,挥发性 | 4GBIT(NAND),8Gbit(8gbit lpddr2) | 闪光,ram | 512m x 8 nand),512m x 16 lpddr2) | 平行线 | - | ||||
![]() | NP8P128A13BSM60E | - | ![]() | 6511 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Omneo™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | NP8P128A | PCM (婴儿车) | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B | 8542.32.0051 | 576 | 非易失性 | 128mbit | 115 ns | PCM (婴儿车) | 16m x 8 | 平行,Spi | 115ns | ||||
![]() | mtfc16gludv-wt | - | ![]() | 4353 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | mtfc16g | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - |
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