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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
NP8P128A13T1760E Micron Technology Inc. NP8P128A13T1760E -
RFQ
ECAD 3633 0.00000000 微米技术公司 Omneo™ 托盘 过时的 0°C〜70°C(TC) 表面安装 64-TBGA NP8P128A PCM (婴儿车) 2.7V〜3.6V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B 8542.32.0051 1,800 非易失性 128mbit 115 ns PCM (婴儿车) 16m x 8 平行,Spi 115ns
JS28F00AP33EF0 Micron Technology Inc. JS28F00AP33EF0 -
RFQ
ECAD 5034 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F00AP33 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 96 40 MHz 非易失性 1Gbit 105 ns 闪光 64m x 16 平行线 105ns
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HJS-0SIT -
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ECAD 6011 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT28EW01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -Mt28EW01GABA1HJS-0SIT 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 1Gbit 95 ns 闪光 128m x 8,64m x 16 平行线 60ns
MT46V32M16P-75 L:C Micron Technology Inc. MT46V32M16P-75 L:c -
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ECAD 7115 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP - rohs3符合条件 4 (72小时) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 512Mbit 750 PS 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT:b tr -
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ECAD 1943年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B768 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 768m x 32 - -
MT53B2DATG-DC Micron Technology Inc. MT53B2DATG-DC -
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ECAD 2250 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 960
EDF620AAABH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF620AAABH-GD-FD -
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ECAD 9660 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,360
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E -
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ECAD 3630 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 -25°C〜85°C - - MT29TZZZ8 flash -nand,dram -lpddr3 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v - - 过时的 0000.00.0000 1,520 933 MHz 非易失性,挥发性 64Gbit(NAND),8Gbit(8Gbit)lpddr3) 闪光,ram 68g x 8 nand),256m x 32 lpddr3) MMC,LPDRAM -
MT29F16G08ABACAWP-Z:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-Z:c -
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ECAD 6934 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR -
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ECAD 1266 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-5 IT:h tr -
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ECAD 6969 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 256Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25 IT:b tr -
RFQ
ECAD 6803 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA MT49H16M36 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
MT53E1DBDS-DC Micron Technology Inc. MT53E1DBDS-DC 22.5000
RFQ
ECAD 5534 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53E1 - 到达不受影响 557-MT53E1DBDS-DC 1,360
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B Micron Technology Inc. MT29F4T08CTHBM5-3C:b -
RFQ
ECAD 5036 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F4T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000 333 MHz 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 平行线 -
NAND01GR3B2BZA6E Micron Technology Inc. NAND01GR3B2BZA6E -
RFQ
ECAD 6692 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-TFBGA NAND01 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -NAND01GR3B2BZA6E 3A991B1A 8542.32.0051 210 非易失性 1Gbit 30 ns 闪光 128m x 8 平行线 30ns
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-708 wt tr -
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ECAD 5441 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-vfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08CTCBBM5-37ES:b tr -
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ECAD 3765 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F4T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 平行线 -
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKECBH7-12:c tr -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT44K32M18RB-107:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107:a -
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K32M18 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
MT29F128G08CECABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-10Z:a -
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ECAD 8681 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT48LC4M32B2B5-7:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-7:G。 -
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ECAD 7782 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 14ns
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBJ-1DAIT-FR TR -
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ECAD 1688年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-WFBGA EDB4432 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-FBGA (10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR -
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ECAD 4929 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25TL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT40A4G4NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A4G4NEA-062E:r tr 21.7650
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ECAD 2159 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - 557-MT40A4G4NEA-062E:RTR 2,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 4G x 4 平行线 15ns
MT53D4DDFL-DC Micron Technology Inc. MT53D4DDFL-DC -
RFQ
ECAD 7093 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 MT53D4 - 到达不受影响 0000.00.0000 1,120
MT46V256M4P-75:A Micron Technology Inc. MT46V256M4P-75:a -
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 易挥发的 1Gbit 750 PS 德拉姆 256m x 4 平行线 15ns
MT41K1G8TRF-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-125:e tr -
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ECAD 8168 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 13.5 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 -
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 6871 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库