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![]() | MT28EW01GABA1HJS-0SIT | - | ![]() | 6011 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28EW01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -Mt28EW01GABA1HJS-0SIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 1Gbit | 95 ns | 闪光 | 128m x 8,64m x 16 | 平行线 | 60ns | ||
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![]() | MT29F4G16ABADAH4-AAT:D Tr | - | ![]() | 7916 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G16 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||||
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![]() | MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E | - | ![]() | 3630 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | -25°C〜85°C | - | - | MT29TZZZ8 | flash -nand,dram -lpddr3 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | - | - | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | 933 MHz | 非易失性,挥发性 | 64Gbit(NAND),8Gbit(8Gbit)lpddr3) | 闪光,ram | 68g x 8 nand),256m x 32 lpddr3) | MMC,LPDRAM | - | ||||||
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![]() | MT49H16M36SJ-25 IT:b tr | - | ![]() | 6803 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT53E1DBDS-DC | 22.5000 | ![]() | 5534 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | MT53E1 | - | 到达不受影响 | 557-MT53E1DBDS-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F4T08CTHBM5-3C:b | - | ![]() | 5036 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29F4T08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 4Tbit | 闪光 | 512g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | NAND01GR3B2BZA6E | - | ![]() | 6692 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-TFBGA | NAND01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -NAND01GR3B2BZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 30 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 30ns | ||
![]() | MT45W4MW16BCGB-708 wt tr | - | ![]() | 5441 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 54-vfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT29F4T08CTCBBM5-37ES:b tr | - | ![]() | 3765 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29F4T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 非易失性 | 4Tbit | 闪光 | 512g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F512G08CKECBH7-12:c tr | - | ![]() | 3252 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT44K32M18RB-107:a | - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-TBGA | MT44K32M18 | 德拉姆 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 10 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F128G08CECABH1-10Z:a | - | ![]() | 8681 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
MT48LC4M32B2B5-7:G。 | - | ![]() | 7782 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | 14ns | |||
![]() | EDB4432BBJ-1DAIT-FR TR | - | ![]() | 1688年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-WFBGA | EDB4432 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-FBGA (10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR | - | ![]() | 4929 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MT25TL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | ||||
![]() | MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR | - | ![]() | 2016 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT40A4G4NEA-062E:r tr | 21.7650 | ![]() | 2159 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | - | 557-MT40A4G4NEA-062E:RTR | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 4G x 4 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | MT53D4DDFL-DC | - | ![]() | 7093 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | MT53D4 | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,120 | |||||||||||||||||||
![]() | MT46V256M4P-75:a | - | ![]() | 4101 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V256M4 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 750 PS | 德拉姆 | 256m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT41K1G8TRF-125:e tr | - | ![]() | 8168 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9.5x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||
![]() | MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Tr | - | ![]() | 6871 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - |
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