SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E -
RFQ
ECAD 3630 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 -25°C〜85°C - - MT29TZZZ8 flash -nand,dram -lpddr3 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v - - 过时的 0000.00.0000 1,520 933 MHz 非易失性,挥发性 64Gbit(NAND),8Gbit(8Gbit)lpddr3) 闪光,ram 68g x 8 nand),256m x 32 lpddr3) MMC,LPDRAM -
MT29F16G08ABACAWP-Z:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-Z:c -
RFQ
ECAD 6934 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR -
RFQ
ECAD 1266 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-5 IT:h tr -
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 256Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25 IT:b tr -
RFQ
ECAD 6803 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA MT49H16M36 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
MT53E1DBDS-DC Micron Technology Inc. MT53E1DBDS-DC 22.5000
RFQ
ECAD 5534 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53E1 - 到达不受影响 557-MT53E1DBDS-DC 1,360
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B Micron Technology Inc. MT29F4T08CTHBM5-3C:b -
RFQ
ECAD 5036 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F4T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000 333 MHz 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 平行线 -
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-708 wt tr -
RFQ
ECAD 5441 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-vfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08CTCBBM5-37ES:b tr -
RFQ
ECAD 3765 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F4T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 平行线 -
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKECBH7-12:c tr -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT44K32M18RB-107:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107:a -
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K32M18 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
MT29F128G08CECABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-10Z:a -
RFQ
ECAD 8681 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBJ-1DAIT-FR TR -
RFQ
ECAD 1688年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-WFBGA EDB4432 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-FBGA (10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR -
RFQ
ECAD 4929 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25TL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT40A4G4NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A4G4NEA-062E:r tr 21.7650
RFQ
ECAD 2159 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - 557-MT40A4G4NEA-062E:RTR 2,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 4G x 4 平行线 15ns
MT53D4DDFL-DC Micron Technology Inc. MT53D4DDFL-DC -
RFQ
ECAD 7093 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 MT53D4 - 到达不受影响 0000.00.0000 1,120
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 6871 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT48LC16M8A2P-7E:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-7E:l tr -
RFQ
ECAD 7310 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M8A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 14ns
MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K 10.1850
RFQ
ECAD 2748 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 149-WFBGA Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 149-WFBGA(8x9.5) 下载 557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K 1 非易失性,挥发性 4Gbit 25 ns 闪光,ram 512m x 8 onfi 30ns
M50FLW040BN5G Micron Technology Inc. M50FLW040BN5G -
RFQ
ECAD 5077 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) M50FLW040 闪光灯 -也不 3v〜3.6V 40-tsop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 120 33 MHz 非易失性 4Mbit 250 ns 闪光 512k x 8 平行线 -
EDFA112A2PD-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-JD-FD -
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA112 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,190 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 128m x 128 平行线 -
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A AAT:l 9.7800
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0002 1,440 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 12ns
MTFC8GLUDM-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gludm-ait tr -
RFQ
ECAD 4672 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELCBBG1-37:b tr -
RFQ
ECAD 1987 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 272-VFBGA MT29F1HT08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 272-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 1.5Tbit 闪光 192g x 8 平行线 -
MT29F1G08ABAEAWP:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP:e tr 2.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT47H32M16HR-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E IT:G。 -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT58L64L32FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L64L32FT-8.5 4.9100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 2Mbit 8.5 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
MT46V16M16TG-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5B:f tr -
RFQ
ECAD 2294 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
MT40A256M16GE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E:b -
RFQ
ECAD 7032 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库