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（ICS）（10403）

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MT53E4D1BEG-DC TR	-	RFQ	3922	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT53E4				-				557-MT53E4D1BEG-DCTR	过时的		2,000
MT49H32M9FM-33：b	-	RFQ	8382	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M9	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	300 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
MT29F256G08EECBBJ4-6：b	-	RFQ	8782	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	167 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
mtfc16gakaejp-5m ait	-	RFQ	1063	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT29F16G08ABCBBH1-12：b	-	RFQ	4823	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-vbga	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
M25P40-VMW6TGB TR	-	RFQ	4631	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	M25P40	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SO W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500	75 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
MT41K512M8RH-125：E TR	-	RFQ	5848	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
N25Q064A11ESECFF TR	-	RFQ	8478	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	N25Q064A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,500	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT51J256M32HF-70：b tr	-	RFQ	3063	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	MT51J256	sgram -gddr5	1.31v〜1.39v，1.46V〜1.55V	170-FBGA（12x14）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	1.75 GHz	易挥发的	8Gbit		内存	256m x 32	平行线	-
MT46V32M8TG-75 L：G Tr	-	RFQ	6076	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（ta）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	750 PS	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
mtfc32gamakam-wt tr	-	RFQ	1450	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	-	-	mtfc32g	闪存-NAND	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT52L4DBPG-DC	-	RFQ	3139	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT52L4				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,890
MT29F4G16ABBDAH4：D TR	-	RFQ	8384	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT46H8M32LFB5-5：h	-	RFQ	3542	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	90-VFBGA	MT46H8M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
MT41K128M16JT-107G：k tr	-	RFQ	3845	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT29F128G08CBCBBH6-6ITR：b	-	RFQ	4381	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980	166 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT53B1G64D8NW-062 wt：d	-	RFQ	3748	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53B1G64	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	1.6 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
MT53E1G32D2FW-046 AIT：b	29.9700	RFQ	5624	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E1G32D2FW-046AIT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 32	平行线	18NS
MT48LC4M32B2P-6A AAT：l	-	RFQ	8405	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC4M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0002	1,080	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	12ns
N25Q064A13ESF42G	-	RFQ	9219	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,225	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F32G08CBADAWP-M：d	-	RFQ	1811	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-		（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT48LC16M8A2P-75 IT：G	-	RFQ	6031	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	15ns
MT46V32M16FN-6：c	-	RFQ	2667	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（10x12.5）	-	Rohs不合规	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT46H16M16LFBF-5 IT：h tr	-	RFQ	6969	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H16M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT40A256M16LY-062E AIT：f tr	11.8350	RFQ	1693年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A256M16LY-062EAIT：ftr	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
M29F800DB70M6E	-	RFQ	3250	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.525英寸，宽度为13.34mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	16		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR	-	RFQ	5486	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	128m x 8 nand），32m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
mtfc16gjuef-ait	-	RFQ	9960	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT	-	RFQ	5653	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²