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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-IT:e tr -
RFQ
ECAD 5399 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
EDFP164A3PD-MD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-MD-FR TR -
RFQ
ECAD 7413 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 - EDFP164 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 1067 MHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 平行线 -
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:b tr -
RFQ
ECAD 3374 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(ta) - - MT29E1HT08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1.5Tbit 闪光 192g x 8 平行线 -
M50FLW080AN5G Micron Technology Inc. M50FLW080AN5G -
RFQ
ECAD 2296 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) M50FLW080 闪光灯 -也不 3v〜3.6V 40-tsop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 120 33 MHz 非易失性 8mbit 250 ns 闪光 1m x 8 平行线 -
PC28F640P33B85A Micron Technology Inc. PC28F640P33B85A -
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ECAD 3758 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F640 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 64- Easybga(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 非易失性 64mbit 85 ns 闪光 4m x 16 平行线 85ns
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAWP-M:D Tr -
RFQ
ECAD 7715 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48Maybbaks-48 IT -
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ECAD 9164 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) MT29C4G48 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 208 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 8 nand),64m x 32 lpdram) 平行线 -
MT40A1G8WE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E:b tr -
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ECAD 3618 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(8x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 1G x 8 平行线 -
MT55V1MV18FT-11 Micron Technology Inc. MT55V1MV18FT-11 18.7900
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ECAD 263 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 100-LQFP SRAM -ZBT 2.375V〜2.625V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 90 MHz 易挥发的 18mbit 8.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
M29F160FB5KN3E2 Micron Technology Inc. M29F160FB5KN3E2 -
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ECAD 9159 0.00000000 微米技术公司 - 管子 积极的 M29F160 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1B1 8542.32.0071 96 未行业行业经验证
MT57W1MH18BF-4 Micron Technology Inc. MT57W1MH18BF-4 23.0000
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ECAD 926 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 165-TBGA Sram-同步,DDR II 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 易挥发的 18mbit 450 ps SRAM 1m x 18 HSTL -
MT54V512H18EF-6 Micron Technology Inc. MT54V512H18EF-6 13.8400
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ECAD 241 0.00000000 微米技术公司 QDR™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 165-TBGA sram-同步 2.4v〜2.6V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 9Mbit 2.5 ns SRAM 512k x 18 HSTL -
MT58L256L36FS-8.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-8.5 -
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ECAD 5462 0.00000000 微米技术公司 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 1
MT29F16G08AFABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F16G08AFABAWP-IT:b -
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MTFC16GKQDQ-IT Micron Technology Inc. mtfc16gkqdq-it -
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ECAD 3903 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc16g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT29F1T08GBLCEJ4-M:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLCEJ4-M:c tr 19.5450
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ECAD 1659年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F1T08GBLCEJ4-M:CTR 2,000
MT53D384M32D2DS-046 AUT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT:E TR -
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ECAD 8361 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT52L512M32D2PF-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-107 WT:b 31.9800
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ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 178-VFBGA MT52L512 sdram- lpddr3 1.2V 178-fbga(11.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,890 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
PC48F4400P0TB0E3 Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0E3 -
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ECAD 6572 0.00000000 微米技术公司 Axcell™ 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 64-LBGA PC48F4400 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 64- Easybga(10x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 144 52 MHz 非易失性 512Mbit 95 ns 闪光 32m x 16 平行线 95ns
MT25QL01GBBB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8ESF-0AAT TR 14.4150
RFQ
ECAD 5862 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25QL01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16件事 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT62F3G32D8DV-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AAT:b 94.8300
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ECAD 8369 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023AAT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 3G x 32 平行线 -
MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046自动:b 37.9050
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ECAD 2987 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 556-TFBGA sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT:b 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 64 平行线 18NS
MT58V1MV18DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V1MV18DT-7.5 18.9400
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ECAD 318 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 100-LQFP MT58V1MV18 SRAM 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 18mbit 4.2 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
MT25QL256ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0AAT 6.5500
RFQ
ECAD 182 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25QL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -MT25QL256ABA8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT58L128L32F1T-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-7.5Tr 4.7200
RFQ
ECAD 500 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 500 113 MHz 易挥发的 4Mbit 7.5 ns SRAM 128K x 32 平行线 -
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 wt:e -
RFQ
ECAD 2666 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53E1G32 sdram- lpddr4 1.1V - 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
N25Q128A11EV740 Micron Technology Inc. N25Q128A11EV740 -
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ECAD 2083 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) - - N25Q128A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V - - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT47H64M16HR-3 AIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AIT:h -
RFQ
ECAD 5505 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT46H64M32LFCX-5 AT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5:b -
RFQ
ECAD 2590 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR Micron Technology Inc. MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR 10.3350
RFQ
ECAD 5453 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29AZ5 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109Tr 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库