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![]() | MT46V32M16FN-75 L:c | - | ![]() | 1875年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | - | Rohs不合规 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
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![]() | MT28F640J3FS-115 GMET TR | - | ![]() | 3991 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-FBGA | MT28F640J3 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(10x13) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64mbit | 115 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | - | |||
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![]() | MT29F1G08ABAFAH4-AAT:f | 2.9984 | ![]() | 6915 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT:f | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 20 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 20NS | |||
![]() | MT29F32G08AECCBH1-10Z:c tr | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | |||
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![]() | MT48LC4M16A2P-6A AIT:j tr | - | ![]() | 4951 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | MT48LC16M16A2P-7E:G。 | - | ![]() | 7094 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 14ns | ||
![]() | MT45W1MW16PAFA-70 wt tr | - | ![]() | 6058 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-VFBGA | MT45W1MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 16mbit | 70 ns | PSRAM | 1m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | JS28F064M29EWLA | - | ![]() | 9420 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F064M29 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT40A4G4JC-062E:e | - | ![]() | 5048 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(9x11) | 下载 | 557-MT40A4G4JC-062E:e | 过时的 | 1 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 4G x 4 | 荚 | 15ns | ||||||
![]() | MT4A1G8SA-75:e | - | ![]() | 5190 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | MT4A1 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,020 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F1G08ABBDAH4-ITE:d | - | ![]() | 8266 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - | |||||
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:d | - | ![]() | 9622 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 432-VFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 432-VFBGA(15x15) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | ||||||
![]() | RC28F640P30BF65A | - | ![]() | 5257 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | RC28F640 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 非易失性 | 64mbit | 65 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 65ns | ||
MT47H64M16HR-3 L:G。 | - | ![]() | 3545 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
MT35XU256ABA2G12-0AAT | 9.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | XCCELA™-MT35X | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 24-TBGA | MT35XU256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | XCCELA巴士 | - | ||||
![]() | MT29F4G08ABBFAH4-AIT:f tr | 3.4998 | ![]() | 2841 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F4G08ABBFAH4-AIT:ftr | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:d | - | ![]() | 1049 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 166 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53E512M16D1Z11MWC1 | 11.2300 | ![]() | 1086 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 死 | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 晶圆 | - | 557-MT53E512M16D1Z11MWC1 | 1 | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | MT29E768G08EEHBBJ4-3:b | - | ![]() | 7374 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 132-vbga | MT29E768G08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 非易失性 | 768Gbit | 闪光 | 96g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT41K1G8SN-125:a | - | ![]() | 6262 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(9x13.2) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | - |
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