SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT53E1536M32D4NQ-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4NQ-046 WT:b -
RFQ
ECAD 4031 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 - 557-MT53E1536M32D4NQ-046WT:b 过时的 1
MT51J256M32HF-80:B TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80:b tr -
RFQ
ECAD 2776 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31v〜1.39v,1.46V〜1.55V 170-FBGA(12x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 2,000 2 GHz 易挥发的 8Gbit 内存 256m x 32 平行线 -
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT:b tr -
RFQ
ECAD 1943年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B768 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 768m x 32 - -
MT53B2DATG-DC Micron Technology Inc. MT53B2DATG-DC -
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ECAD 2250 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 960
MT53E1DBDS-DC Micron Technology Inc. MT53E1DBDS-DC 22.5000
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ECAD 5534 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53E1 - 到达不受影响 557-MT53E1DBDS-DC 1,360
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-708 wt tr -
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ECAD 5441 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-vfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08CTCBBM5-37ES:b tr -
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ECAD 3765 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F4T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 平行线 -
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKECBH7-12:c tr -
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ECAD 3252 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT44K32M18RB-107:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107:a -
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ECAD 7549 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K32M18 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
MT29F128G08CECABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-10Z:a -
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ECAD 8681 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR -
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ECAD 4929 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25TL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT40A4G4NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A4G4NEA-062E:r tr 21.7650
RFQ
ECAD 2159 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - 557-MT40A4G4NEA-062E:RTR 2,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 4G x 4 平行线 15ns
MT53D4DDFL-DC Micron Technology Inc. MT53D4DDFL-DC -
RFQ
ECAD 7093 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 MT53D4 - 到达不受影响 0000.00.0000 1,120
MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K 10.1850
RFQ
ECAD 2748 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 149-WFBGA Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 149-WFBGA(8x9.5) 下载 557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K 1 非易失性,挥发性 4Gbit 25 ns 闪光,ram 512m x 8 onfi 30ns
EDFA112A2PD-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-JD-FD -
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ECAD 5339 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA112 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,190 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 128m x 128 平行线 -
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A AAT:l 9.7800
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0002 1,440 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 12ns
MTFC8GLUDM-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gludm-ait tr -
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ECAD 4672 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29F1G08ABAEAWP:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP:e tr 2.9800
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ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT46V16M16TG-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5B:f tr -
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ECAD 2294 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
MT40A256M16GE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E:b -
RFQ
ECAD 7032 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT58L256L36PT-6 Micron Technology Inc. MT58L256L36PT-6 8.9300
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ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L256L36 sram-同步 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 8mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MTFC4GACAJCN-1M WT Micron Technology Inc. mtfc4gacajcn-1m wt -
RFQ
ECAD 3850 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MT55V512V36FT-8.8 Micron Technology Inc. MT55V512V36FT-8.8 17.3600
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ECAD 480 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT55V512V sram-同步,ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
MT54W2MH8BF-6 Micron Technology Inc. MT54W2MH8BF-6 33.0600
RFQ
ECAD 698 0.00000000 微米技术公司 QDR® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-同步 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 18mbit 500 ps SRAM 2m x 8 HSTL -
M25P16-VMN3PB Micron Technology Inc. M25P16-VMN3PB -
RFQ
ECAD 2734 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 15ms,5ms
TE28F128P30T85A Micron Technology Inc. TE28F128P30T85A -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) 28F128P30 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 56-tsop 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 非易失性 128mbit 85 ns 闪光 8m x 16 平行线 85ns
M29F040B45K1 Micron Technology Inc. M29F040B45K1 -
RFQ
ECAD 3600 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) M29F040 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 32 非易失性 4Mbit 45 ns 闪光 512k x 8 平行线 45ns
M25P40-VMN6 Micron Technology Inc. M25P40-VMN6 -
RFQ
ECAD 2062 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 15ms,5ms
M29DW641F70N6F TR Micron Technology Inc. M29DW641F70N6F TR -
RFQ
ECAD 4033 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29DW641 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 4m x 16 平行线 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库